Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Россия, 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А
кандидат химических наук, научный сотрудник отдела разработок и исследования микро- и наносистем Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Россия, 119991, г. Москва, Ленинский пр-т, 32А)
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Россия, 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, 4, стр. 1
кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией физики оксидных сегнетоэлектриков Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (Россия, 119049, г. Москва, Ленинский пр-т, 4, стр. 1)
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зе-леноград, пл. Шокина, 1
магистрант Института перспективных материалов и технологий Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1)
Национальный политехнический университет Армении, (Армения, 0009, г. Ереван, ул. Теряна 105); ЗАО «Синопсис Армения», (Армения, 0026, г. Ереван, Аршакуняц пр., 41)
аспирант кафедры микроэлектронных схем и систем Национального политехнического Университета Армении (Армения, 0009, г. Ереван, ул. Теряна 105), инженер-конструктор аналоговых и смешанных сигналов, инженер II ЗАО “Синопсис Армения” (Армения, 0026, г. Ереван, Аршакуняц пр., 41)
Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1)
инженер Института интегральной электроники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1)