Персоналии
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника: Электроника
Menu button
Известия высших учебных заведений.
Электроника
home
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника
Найти
Главная
О журнале
Этика
Порядок рецензирования
Авторам
Новости
Выпуски
Тематический указатель статей
Индексирование
Подписка
Контакты
Поиск
Персоналии
Известия высших учебных заведений
Персоналии
Голубков Сергей Александрович
ведущий инженер-технолог АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, Солнечная аллея, 6)
Статьи автора
Свернуть
p–i–n-диоды
загрязнение серой
высокоомный кремний
релаксационная спектроскопия глубоких уровней
напряжение полного обеднения
Задать фильтры
Исследование p–i–n-диодных структур на высокоомных кремниевых подложках методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней
Просмотров: 382 | Комментариев : 0