Персоналии
младший научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (г. Черноголовка). Область научных интересов: плазмоника, микроэлектроника, наноэлектроника.
Статьи автора
Приведены результаты исследований терагерцовых детекторов с пространственной последовательно и параллельно соединенной транзисторной структурой на основе арсенид-галлиевой наногетероструктуры с асимметричным Т-образным затвором в каждом транзисторе. Показано, что детекторы демонстрируют фототоковый и фотовольтаический/фотопроводящий терагерцовые отклики без использования дополнительных антенных элементов. Измерена чувствительность свыше 1000 В/Вт и 50 мА/Вт соответственно для последовательного и параллельного соединения транзисторов. Получена эквивалентная мощность шума ниже 10 Вт/Гц.
- Просмотров: 1519 | Комментариев : 0