Персоналии

Активное исследование материала GeSbTe связано с возможностью создания многоуровневых энергонезависимых элементов для быстродействующих интегрально-оптических функциональных схем. Принцип многоуровневой записи в данных устройствах основан на формировании областей в тонких пленках GeSbTe с частичной кристаллизацией и существенно различающимися оптическими свойствами. Для прогнозирования параметров инициирующего фазовые превращения воздействия и надежного обеспечения обратимого перехода между множеством логических состояний необходима достоверная информация об оптических характеристиках тонких пленок GeSbTe в состояниях с разной степенью кристалличности и условиях их получения. В работе исследовано влияние фазового состояния пленок GeSbTe на коэффициент экстинкции и показатель преломления, изучено изменение значений оптической ширины запрещенной зоны в зависимости от температуры термообработки. Образцы тонких пленок GeSbTe исследованы методами атомно-силовой микроскопии, рентгенофазового анализа и энергодисперсионного микроанализа для определения их толщины, морфологии, фазового состояния и состава. С помощью метода спектральной эллипсометрии получены спектры эллипсометрических углов ψ и Δ (амплитудной и фазовой составляющих световой волны) и определены значения коэффициента экстинкции и показателя преломления. Рассмотрено влияние слоевых и математических моделей на расчет дисперсий оптических параметров пленок GeSbTe. Установлено существенное увеличение значений коэффициента экстинкции и показателя преломления на длине волны излучения 1550 нм при термообработке выше 200 °С. Показано, что оптическая ширина запрещенной зоны тонких пленок GeSbTe в аморфном состоянии равна 0,71 эВ, а в кристаллическом - 0,47 эВ. Выяснено, что зависимости показателя преломления, коэффициента экстинкции и оптической ширины запрещенной зоны от степени кристалличности пленок GeSbTe близки к линейным.

• Просмотров: 993 | Комментариев : 0

Метод центрифугирования применяется при изготовлении, например, пленок большой площади и/или относительно большой толщины (несколько микрон). Однако для халькогенидных соединений метод пока не получил широкого распространения, поскольку они характеризуются относительно слабой растворимостью в большинстве растворителей. Поэтому поиск оптимальных условий приготовления растворов халькогенидных соединений и получения пленок методом центрифугирования является в настоящее время актуальной задачей. Рассмотрены особенности аморфных пленок сульфида мышьяка (AsS), полученных методом центрифугирования раствора в n- бути-ламине. Синтезированные пленки AsS исследованы с применением методов рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света. Сделаны выводы об их фазовом состоянии, примесном составе и структуре. Показано, что аморфные пленки AsS имеют повышенный показатель модуля упругости по сравнению с пленками аналогичного состава, полученными вакуумно-термическим испарением, и стеклом AsS. Для объяснения полученных экспериментальных результатов использована структурная модель, построенная на основе кластеров AsS, поверхности которых ограничены отрицательно и положительно заряженными ионами. Исследования проводимости на постоянном токе показали, что пленки AsS имеют полупроводниковый характер проводимости. При этом проводимость при комнатной температуре составляет ~10 См/см, что свидетельствует о хороших диэлектрических свойствах. Полученные пленки характеризуются оптической прозрачностью, начиная с желтого диапазона длин волн. Это делает их перспективными функциональными материалами для технических применений в оптике и фотонике.

• Просмотров: 2082 | Комментариев : 0