Персоналии

В рамках термодинамической и диффузионно-дрейфовой моделей численным методом исследовано влияние температуры на электрофизические параметры комплементарной биполярной пары вертикальных транзисторов. Показано преимущество термодинамической модели, учитывающей при анализе мощных транзисторов эффекты, связанные с саморазогревом. Результаты моделирования сопоставлены с экспериментальными характеристиками тестовых структур. Сравнение показало, что для таких электрофизических параметров, как коэффициент усиления по току β и напряжение Эрли V , отличие не превышает 15 %, а для критического параметра напряжение пробоя коллектор-эмиттер V не превышает 2 %. Это является достаточным для применения термодинамической модели в практических целях.

• Просмотров: 1399 | Комментариев : 0