Проектирование полупроводниковых БИС активных фазовращателей с использованием SiGe-БиКМОП-технологии

Проектирование полупроводниковых БИС активных фазовращателей с использованием SiGe-БиКМОП-технологии

Разработана методика проектирования БИС активного дискретного фазовращателя с использованием SiGe-БиКМОП-технологии. Приведены результаты моделирования и измерения его параметров. Предложена структурная схема фазовращателя, обеспечивающая увеличение динамического диапазона. Полученные характеристики интегральной схемы сопоставимы с параметрами зарубежных аналогов.
Мухин Игорь Игоревич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Репин Владимир Валериевич
ФГУП НИИМА «Прогресс» (г. Москва)
Поделиться