Проектирование полупроводниковых БИС активных фазовращателей с использованием SiGe-БиКМОП-технологии

Раздел находится в стадии актуализации

Разработана методика проектирования БИС активного дискретного фазовращателя с использованием SiGe-БиКМОП-технологии. Приведены результаты моделирования и измерения его параметров. Предложена структурная схема фазовращателя, обеспечивающая увеличение динамического диапазона. Полученные характеристики интегральной схемы сопоставимы с параметрами зарубежных аналогов.
Мухин Игорь Игоревич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Репин Владимир Валериевич
ФГУП НИИМА «Прогресс» (г. Москва)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru