N

Раздел находится в стадии актуализации

Рассмотрен метод реализации встроенной защиты биполярных транзисторов от токовых перегрузок в управляющей цепи на основе комбинации элемента с -образной ВАХ с биполярным транзистором. Использование данного метода позволит создавать полупроводниковые структуры биполярных транзисторов со встроенной защитой от токовых перегрузок в управляющей цепи.
Новиков Сергей Геннадьевич
Научно-исследовательский технологический институт им. С.П. Капицы УлГУ, г. Ульяновск, Россия
Гурин Нектарий Тимофеевич
Ульяновский государственный университет
Корнеев Иван Владимирович
Ульяновский государственный университет

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru