Исследование процесса формирования мемристорных структур на основе сульфида меди

Для создания оперативной и флеш-памяти альтернативой существующей элементной базе являются мемристорные структуры - двухэлектродные системы, основанные на переключении сопротивления. В работе представлены результаты исследования особенностей создания мемристорных структур на основе сульфида меди как одного из перспективных материалов, обеспечивающих повышенную работоспособность систем. Рассмотрен процесс сульфидизации меди, в ходе которого приповерхностная область слоя меди преобразуется в сульфид, а оставшаяся часть слоя используется в качестве активного электрода формируемой в дальнейшем мемристорной структуры. Показано, что при повышенных концентрациях исходных химических реагентов значительно увеличивается шероховатость поверхности слоя сульфида. Скорость роста сульфида при оптимальных исходных концентрациях химических реагентов составляет ~ 30 нм/мин. При исследовании мемристорных структур установлено, что с ростом толщины сульфида меди отношение сопротивлений в низкоомном и высокоомном состояниях увеличивается с 11,2 до 12,5. Время переключения в сформированных мемристорных структурах из высокоомного состояния в низкоомное составляет порядка 1.3 мкс, а из низкоомного в высокоомное равно 0.9 мкс.
Алексей Николаевич Белов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Александр Анатольевич Голишников
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Артем Михайлович Мастинин
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Алексей Андреевич Перевалов
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Василий Иванович Шевяков
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия
Поделиться