Исследована кинетическая модель формирования поверхностных молекулярных загрязнений в результате двумерного зародышеобразования. Получены решения для описания структурных характеристик растущих загрязнений через физические константы системы и параметров процесса роста в чистых помещениях индустрии высоких технологий.
1. Колмогоров А.Н. К статистической теории кристаллизации металлов // Изв. АН СССР. Сер. матем. 1937. 1:3. С. 355–359. URL: http://mi.mathnet.ru/rus/izv/v1/i3/p355 (дата обращения 16.02.2016).
2. Kuni F.M. The Kinetics of Condensation under the Dynamical Conditions // Preprint IPT-84-178E Kiev, 1984 (Institute of Theoretical Physics).
3. Куни Ф.М., Гринин А.П. Кинетика гомогенной конденсации на этапе образования основной массы новой фазы // Коллоидный журнал. 1984. Т. 46. № 3. С. 460465.
4. Binder K. Theory for the dynamics of «clusters.» II. Critical diffusion*in binary systems and the kinetics of phase separation // Phys. Rev. B. 1977. Vol. 15. P. 44254447.
5. Kashchiev D. Growth kinetics of dislocation-free interfaces and growth mode of thin films // J. Cryst. Growth. 1977. Vol. 40. P. 2946.
6. Беленький В.З. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. М.: Наука, 1980. 80 с. URL: http://www.twirpx.com/file/624512 (дата обращения 16.02.2016).
7. Трофимов В.И., Осадченко В.А. Рост и морфология тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1993. 271 с.
8. Dubrovskii V.G. Nucleation and Growth of Adsorbed Layer Self-Consistent Approach Based on Kolmogoroff-Avrami Model // Phys. Status Solidi B. 1992. Vol. 171. P. 345.
9. Севрюкова E.A. Моделирование коагуляции высокой концентрации аэрозолей // Сб. материалов 4-й Междунар. науч.-практической конф. «Европейская наука и технологии» (Мюнхен, Германия, 2013). 2013. С. 716718.
10. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. Современная кристаллография. Т3. Образование кристаллов. М.: Наука, 1980. 407 с.
11. Лившиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов // ЖЭТФ. 1958. Т. 35. №2. С. 479487.
12. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т. 32. – № 3. С. 111.
13. Кукушкин С.А., Осипов А.В. Кинетика образования новой фазы на поверхностях твердых тел // ФТТ. 1996. Т.38. N2. С. 443–451.
14. Севрюкова Е.А. Модели коагуляции и механизм роста агломератов в чистых помещениях микроэлектроники // Прикладная физика. 2012. №5. С. 3741.
15. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э. Динамика роста однокомпонентной кристаллической тонкой пленки // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 11. С. 136138.
16. Севрюкова Е.А., Кузьмишкин Г.С. Анализ влияния молекулярных аэрозольных загрязнений в чистых помещениях нано- и микроэлектроники // Инфраструктура объектов природно-технических геосистем: сб. научн. тр. / Под ред. Каракеяна В.И. – М.: МИЭТ. – 2013. – С. 5360.