Оптимизация параметров преобразователя излучения на основе кремниевого p–i–n-диода

Раздел находится в стадии актуализации

Для проектирования фотодетекторов с высокой эффективностью преобразования энергии излучения следует иметь четкое представление о связи конструкционных особенностей фотодиода с природой и параметрами излучения, которое необходимо преобразовать. В работе представлены функциональные зависимости, позволяющие оптимизировать параметры конструкции p–i–n-диода, связав коэффициент преобразования регистрируемых потоков излучений в фототок с параметрами конструкций фотоприемника и с характеристиками источника излучений. В приближении преобладания ионизационных потерь в приемной области детектора энергии бета-электронами получены выражения для расчета оптимальных толщин приемных слоев преобразователей. На примере конкретных источников бета-излучений определены коэффициенты полезного действия детекторов для применений в бетавольтаических источниках питания и построены зависимости коэффициента полезного действия от энергии бета-электронов и ширины приемной области p–i–n-диода. Полученные результаты могут быть полезны при проектировании преобразователей излучений, а также для оценки эффективности преобразователей входных каскадов реальных метрологических устройств.
Сауров Михаил Александрович
НПК «Технологический центр», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru