С применением методов атомно-силовой микроскопии исследована морфология клеточных структур, культивированных на пленках из волокон коллагена и хитозана. Изучены особенности морфологии растущих клеток на субмикронном уровне, в частности показано, что количество жгутиков диаметром до 100 нм у клеток, выращенных на пленках из волокон коллагена и хитозана, больше, чем у контрольных образцов, выращенных на стеклянных подложках.
1. 0.18 mm CMOS for mixed digital and analog applications with zero-volt-Vthepitaxial-channel MOSFET’s / T. Ohguro, H. Naruse, H. Sugaya et al. // IEEE Trans. on Electron Devic-es. – 1999. – Vol. 46. – N. 7. – P. 1378–1383.
2. Razavi B. CMOS technology characterization for analog and RF design // IEEE J. on Sol-id-State
Circuits. – 1999. – Vol. 34. – N. 3. – P. 268–276.
3. Dynamic threshold-voltage MOSFET (DTMOS) for ultra-low voltage VLSI / Fariborz Assaderaghi,
D. Sinitsky, S.A. Parke et al. // IEEE Trans. ON Electron Devices. – 1997. – Vol. 44. – N. 3. – P. 414 – 422.
4. Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. МОП-транзистор с управлением карма-ном и затвором одновременно // Вестник Воронежского государственного технического университета. – 2012. – Т. 8. – С. 151–154.
5. Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Физические основы работы МОП-транзистора
с управлением карманом и затвором одновременно // Вестник Воронежского государ-ственного технического университета. – 2012. – Т. 8. – № 11. – С. 116–118.
6. Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Эквивалентная схема МОП-транзистора с электрически соединенными затвором и карманом // Изв. вузов. Электроника. – 2014. – № 1(105) – С. 85–86.
7. Описание технологического процесса ОАО «НИИМЭ и «Микрон» [Электронный ресурс]. – URL: http://www.mikron.sitronics.ru/products/micron/technology/ (дата обращения: 05.10.2015).
8. Скляр В.А., Русанов А.В., Ткачев А.Ю., Балашов Ю.С. Интегральная микросхема биполярной МОП транзисторной структуры с низким напряжением питания // Свиде-тельство РФ № 2013630073. – 2013.