Представлены результаты исследований параметров пермаллоевых пленок, полученных методом электрохимического осаждения в локальные области, ограниченные фоторезистивной маской на металлизированной поверхности кремниевой пластины. Получены экспериментальные зависимости магнитных параметров осажденного пермаллоя от времени выдержки электролита. Показана возможность применения осажденных пленок в качестве экранов магнитного поля цифровых изоляторов с гальванической развязкой на основе магниторезистивных наноструктур.