Влияние конструктивных параметров субмикронных НЕМТ-транзисторов на верхнюю границу динамического диапазона линейности усилителей

Влияние конструктивных параметров субмикронных НЕМТ-транзисторов на верхнюю границу динамического диапазона линейности усилителей

Проведено исследование зависимости верхней границы динамического диапазона линейности и шумовых характеристик НЕМТ-транзисторов с прямой структурой от геометрических параметров. Предложена оптимизация параметров транзистора с целью улучшения характеристик усилителей на его основе.
Бобрешов Анатолий Михайлович
Воронежский государственный университет
Хребтов Игорь Владимирович
Воронежский государственный университет, г. Воронеж, Россия
Ряполов Михаил Павлович
Воронежский государственный университет, г. Воронеж, Россия
Поделиться