Проведено исследование зависимости верхней границы динамического диапазона линейности и шумовых характеристик НЕМТ-транзисторов с прямой структурой от геометрических параметров. Предложена оптимизация параметров транзистора с целью улучшения характеристик усилителей на его основе.
1. Hill J., Ladbrooke P.H. High Electron Mobility Transistors (HEMTs) - A Review // The GEC Journal of Research. - 1986. - Vol. 4, № 1. - P. 1-14.
2. GaAs PHEMT chipsets and IC processes for high-end fiber optic applications / R.Leblanc, A.Gasmi, M.Zahzouh et al. // Intern. J. of High Speed Electronics and Systems. - 2003. - Vol. 13, N 1. - P. 91-109.
3. Microwave performances of silicon heterostructure-FETs / F.Aniel, M.Enciso, S.Richard et al. // Applied Surface Science. - 2004. - Vol. 224. - P. 370-376.
4. Бобрешов А.М. Хребтов И.В. Аналитическая модель для субмикронных HEMT-транзисторов с учетом короткоканальных эффектов // Изв. вузов. Электроника. - 2005. - № 3. - С. 14-21.
5. Analytical bias dependent noise model for InP HEMTs / B.-U. H.Klepser, C.Bergamaschi, M.Schefer et al. // IEEE Trans. on Electron Devices. - 1995. - Vol. 42. - N 11. - P. 1882-1889.
6. Bergamaschi C., Patrick W., Bachatold W. Determination of the noise source parameters in InAlAs/GaInAs HEMT heterostructure based on measured noise temperature dependence on the electric field // In Proc. Sixth Conf. InP and Rel. Mat. - 1994. - P. 21-24.
7. Anwar A.F.M., Liu K.-W., Khondler A.N. A Charge Control And Current-Voltage model for inverted MODFET'S // IEEE Trans. on Electron Devices. - 1995. - Vol. 42, N 4. - P. 586-590.
8. Bouzaiene L., Sfaxi L., Moaref H. Investigation of Two-Dimensional Electron gas concentration in selectively doped n-AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs heterostructure // Microelectronics J. - 1999. - Vol. 30. - P. 705-709.
9. Sohel Imtiaz S. M., Samir M. El-Ghazaly. Performance of MODFET and MESFET: A Comparative Study Including Equivalent Circuits Using Combined Electromagnetic and Solid-State Simulator // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 1998. - Vol. 46, N 7. - P. 923-931
10. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. - Вильнюс: Мокслас, 1989. - 264 с.