Исследовано влияние конструктивно-технологических факторов на параметры латеральных ДМОП-транзисторов. Представлены результаты численного моделирования латеральных ДМОП-транзисторов.
1. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: Пер. с англ./ Под ред. И.И.Грехова. - Л.: Энергоатомиздат, 1986. -248 с.
2. Силовые полупроводниковые приборы: Пер с англ. / Под ред. В.В.Токарева. - Воронеж, 1995. - 661 с.
3. Королев М.А., Красюков А.Ю., Тихонов Р.Д. Классификация и конструктивно-технологические особенности мощных приборов для интеллектуальных силовых интегральных схем // Изв. вузов. Электроника. - 2004. - № 6. - С. 10-17.
4. Королев М.А., Красюков А.Ю., Тихонов Р.Д. Исследование влияния конфигурации области стока на пробивное напряжение планарного МОП-транзистора // Изв. вузов. Электроника. - 2003. - № 1. - С. 37-41.
5. Красюков А.Ю. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем: Дис. канд. техн. наук. - М., 2005
6. ISE TCAD Release 10. User's manual. - 2004. - 5420 с.