Рассмотрены технологические возможности послойного электрохимического формирования вертикальных контактных структур на основе системы медь-олово для монтажа кремниевых кристаллов, в том числе по 3D-технологии. Показана возможность фиксации посадочного зазора кристалл-плата для предотвращения замыкания контактных областей материалом припоя.
1. Kay R., Desmulliez M. A review of stencil printing for microelectronic packaging // Sol-dering and Surface Mount Technology. – 2012. – 24(1) . – P. 38–50. – DOI 10.1108/09540911211198540.
2. Ланин В., Сергачев И., Хотькин В. Формирование матричной структуры шарико-вых выводов из припоя// Технологии в электронной промышленности. – 2013. – № 61. – С. 65–69.
3. Roelfs B., Kenny S., Matejat K. Electrolytic solder deposit for next generation flip chip solder bumping // 3rd Electronics System Integration Technology Conference (ESTC 2010). – Berlin, Germany, 2010. – P. 645–650.
4. Заявка 252436 Япония, МКИ5 Н 01 L 21/321. Заявл. 17.08.1988; опубл. 22.02.1990.
5. Yeung Chow, Zaheed Karim. Barrier cap for under bump metal // Pat. US 20020185733 A1. 28.05.2002.
6. Исследование процессов электрохимического формирования контактных структур для сборки интегральных микросхем / В.М. Рощин, В.Л. Дшхунян, И.Н. Петухов и др. // Неорганические материалы. – 2015. – Т. 51. – № 3. – С. 344–348.
7. Рощин В.М. Импульсное осаждение дуговой электроэрозионной плазмы в техно-логии наногетерогенных структур // Оборонный комплекс – научно-техническому про-грессу России. – 2002. – № 3. – С. 10.
8. Гамбург Ю.Д. Гальванические покрытия: справочник по применению. – М.: Техно-сфера, 2006. – 216 с.