Приведены результаты исследования влияния состояния поверхности затравочного слоя меди на однородность электрохимического заполнения медью канавок с субмикронными размерами. Отмечено, что качество заполнения связано с отсутствием или наличием на поверхности затравочного слоя меди пленки оксида, характеризующейся гидрофобными свойствами. Показано, что для однородного заполнения канавок медью в переходных окнах в межуровневых слоях диэлектриков при создании медной многоуровневой металлизации кремниевых ИС время межоперационного хранения пластин после осаждения затравочного слоя меди до заполнения канавок медью не должно превышать максимально допустимого (~6 ч).
1. Громов Д.Г., Мочалов А.И., Сулимин А.Д., Шевяков В.И. Металлизация ультра-больших интегральных схем. – М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. – 277 с.
2. Doering R., Nishi Y. Handbook of semiconductor manufacturing technology // CRC Press Taylor & Francis Group. – 2007. – 1720 p.
3. Tsukimoto S., Ito K., Murakami M. Materials for ULSI metallization: Overview of elec-trical properties // Advanced Nanoscale ULSI Interconnects: Fundamentals and Applications, Springer Science; Business Media. – 2009. – P. 131–143.
4. Электроосаждение тонких слоев меди из комплексного электролита на компонен-ты микроэлектронных структур / Д.Ю. Тураев, В.А. Гвоздев, В.А. Бундина и др. // Гальва-нотехника и обработка поверхности. – 2013. – №3. – С. 50–53.
5. Бойнович Л.Б., Емельяненко А.М. Гидрофобные материалы и покрытия: принци-пы создания, свойства и применение // Успехи химии. – 2008. – №7. – С. 619–638.
6. Борисова Н.В., Суровой Э.П., Титов И.В. Закономерности изменения свойств пле-нок меди в процессе термообработки // Известия Томского политехнического универси-тета. – 2006. – Т.309. – №1. – С.86–90.