Разработан и реализован на примере GaAs алгоритм вычисления параметров электрон-фононного взаимодействия ловушки EL2. На основе данных параметров вычислены полевые зависимости вероятностей безызлучательных переходов с данной ловушки и обратные токи p - n -переходов на GaAs, которые хорошо согласуются с результатами эксперимента.
1. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., Doncker R. Semiconductor power devices. – Heidelberg–Dordrecht–London–New York: Springer, 2011. – 536 p.
2. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в актив-ных элементах. – М.: МГУ, 1997. – 462 с.
3. Sah Chih-Thing, Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction caracteristics // Proc. IRE. – 1957. – Vol. 45. – N 9. – P. 1228–1243.
4. Пекар С.И. О влиянии деформации решеток электронами на оптические и электри-ческие свойства кристаллов // УФН. – 1953. – Т. 50. – С. 197.
5. Пекар С.И. Исследования по электронной теории кристаллов. – М.: Гостехиздат, 1951. – 257 с.
6. Давыдов А.С. Теория безызлучательных переходов в молекулах, находящихся в растворе // ЖЭТФ. – 1953. – Т. 24. – С. 397–408.
7. Кривоглаз М.А. Теория тепловых переходов // ЖЭТФ. – 1954. – Т. 25. – С. 191–207.
8. Тимашов С.Ф. О термической ионизации глубоких центров в слое объемного заря-да в полупроводниках // ФТТ. – 1972. – Т.14. – С. 171.
9. Тимашов С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких цен-тров в слое объемного заряда в полупроводниках // ФТТ. – 1974. – Т. 16. – С. 804.
10. Далидчик Ф.И. Многофононные туннельные процессы в однородном электриче-ском поле // ЖЭТФ. – 1978. – Т. 74. – Вып. 2. – С. 472.
11. Passler R. Temperatyre dependances of the nonradiative multiphonon carrier-capture and injection properties of deep trap in semiconductors // Phys. Stat. Sol. – 1978. – Vol. 85. – P. 203.
12. Makram-Ebeid S. Effect of electric field on deep-level transients in GaAs and GaP // Appl. Phys. Lett. – 1980. – Vol. 37. – N. 5. – P. 464.
13. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Quantum model for phonon assisted tunnel ionization of deep levels in semiconductors // Phys. Rev. – 1982. – Vol. 25. – N. 10. – P. 6406.
14. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Electric-field-induced phonon-assisted tunnel ionization from deep levels in semiconductors // Phys. Rev. Lett. – 1982. – Vol. 48. – N. 18. – P. 1281.
15. Абакумов В.Н., Меркулов И.А., Перель В.И., Яссиевич И.Н. К теории многофо-нонного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ. – 1985. – Вып. 4. – С. 1472–1485.
16. Карпус В., Перель В.И. Многофононная ионизация глубоких центров в полупро-водниках в электрическом поле // ЖЭТФ. – 1986. – Т. 91. – С. 2319.
17. Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе δ-легированных структур / В.А. Гергель, Э.А. Ильичев, А.В. Тарнавский и др. // Физика и техника полу-проводников. – 1991. – Т. 25. – Вып. 11. – С. 1870–1876.
18. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Расчет полевой зависимости скорости эмиссии носителей заряда с глубоких центров с помощью экспериментальной форм-функции оптического перехода // ЖЭТФ. – 1999. – Т. 89. – № 3. – С. 876–882.
19. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Вычисление вероятности оптического перехода в сильных электрических полях // ЖЭТФ. – 2000. – Т. 118. – № 5. – С. 1092–1228.
20. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Полевая зависимость скорости терми-ческой эмиссии дырок с комплекса VGaSAs в арсениде галлия // ФТП. – 2000. – Т. 34. – Вып. 1. – С. 41.
21. Булярский С.В., Жуков А.В. Анализ механизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик барьеров металл – GaAS // ФТП. – 2001. – Т. 35. – Вып. 5. – С. 560.