Рассмотрены аспекты проектирования интегральной схемы пребразователя NRZ-кода в NRZM-код на основе гетеропереходных арсенидгаллиевых транзисторов. Особенностью схемы является применение индуктивной коррекции, позволяющей расширить полосу пропускания преобразователя. Проведены компьютерное моделирование и экспериментальные исследования устройства для скорости передачи 12,5 Гбит/с. Экспериментальные результаты хорошо совпадают с результатами моделирования.
1. DeAndrea J. NRZ-to_RZ Convertion for Metro Design. - http:// www.commsdesign.com/design_ce-nter/opticalnetwoking/design_corner/showArtic.
2. Тимошенков В.П, Хлыбов А.И. Влияние потенциала подложки на статические и динамические характеристики ИМС на арсениде галлия // Вопросы технологии изготовления и проектирования ИМС памяти: Сб. науч. тр. / Под ред. М.А.Королева. - М.: МИЭТ, 1986. - С. 38-46.
3. Pan N., Elliott J., Knowles M., Vu D.P. High reliability InGaP/GaAs HBT // IEEE Electron Device Letters. - 1998. - Vol. 19, Issue: 4, Apr. - P. 115-117.
4. Reliability of AlGaAs and InGaP heterojunction bipolar transistors / N.Pan, R.E.Welser, C.R.Lutz et al. // IEICE Trans. Electron. - 1999. - Vol. E82-C, N.11, Nov.
5. Adlerstein M.G., Gering, J.M. Current induced degradation in GaAs HBT's // Electron Devices, IEEE Transactions on ED. - 2000. - Vol. 47, Iss.2, Feb. - P. 434-439.
6. Oka T., Hirata K., Takazawa H., Ohbu I. Characterization of InGaP/GaAs HBTs under Temperature and current stress // GaAs MANTECH Digest. - 2000. - P. 137-140.
7. Surridge R., Law J., Oliver B. et al. Nortel networks optical components, Accelerated Reliability Testing of GaAs/InGaP HBTs // GaAs MANTECH Digest. - 2002.
8. A low power 72.8 GHz static frequency divider implemented in AlInAs/InGaAs HBT IC technology / M.Sokolich, C.Fields, B.Shi, et al. // GaAs IC Symp. Dig. (Seattle,WA, Nov. 5-8, 2000). - 2000. - P. 81-84.
9. Imementation of reduced turn-on voltage InGaP HBTs using graded GaInAsN base regions / P.M.DeLuca, C.R.Lutz, R.E.Welser et al. // IEEE electron device letters. - 2002. - Vol. 23, N 10, Oct. - P. 81-84.
10. Cherry E.M., Hooper D.E. The design of wide-band transistor feedback amplifiers // Proc. IEEE. - 1963. - Vol. 110, Feb. - P. 375-389.