Входные каскады программируемых быстродействующих операционных усилителей на основе базового матричного кристалла MH2XA031

Входные каскады программируемых быстродействующих операционных усилителей на основе базового матричного кристалла MH2XA031

Операционный усилитель OAmp9, разработанный на базовом матричном кристалле МН2ХА031, содержащем комплементарные биполярные транзисторы, позволяет программировать такие параметры, как ток потребления, максимальный выходной ток, полоса пропускания, скорость нарастания выходного напряжения. В работе описаны возможности дальнейшего увеличения максимальной скорости нарастания выходного напряжения операционного усилителя OAmp9. Рассмотрено, как и для модифицированной схемы операционного усилителя OAmp9.1, применение дифференцирующих цепей коррекции, которые форсируют процессы перезаряда паразитных емкостей в цепи базы выходных транзисторов входного каскада. При этом за счет увеличения обратного напряжения на изолирующих p–n-переходах этих выходных транзисторов уменьшена их паразитная коллекторная емкость. Показан схемотехнический прием повышения быстродействия операционного усилителя на основе двух комплементарных «перегнутых» каскодов, который исключает динамическую перегрузку промежуточного каскада и ускоряет переходные процессы в режиме большого сигнала в модифицированной схеме операционного усилителя OAmp9.2. Приведены электрические схемы и результаты сравнительного моделирования двух модифицированных входных каскадов в структуре операционных усилителей OAmp9.1 и OAmp9.2, которые характеризуются соответственно напряжением смещения нуля 0,08 и 0,11 мВ, коэффициентом усиления напряжения 1,4·104 и 1,4·103, произведением  коэффициента усиления напряжения на ширину полосы пропускания  655 и 298 МГц, скоростью нарастания выходного напряжения 689  и 868 В/мкс.
Дворников Олег Владимирович
ОАО «Минский научно-исследовательский приборостроительный институт», г. Минск, Беларусь
Чеховский Владимир Алексеевич
Белорусский государственный университет, г. Минск, Беларусь
Прокопенко Николай Николаевич
Донской государственный технический университет, г. Ростов-на-Дону, Россия; Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, г. Москва, Россия
Чумаков Владислав Евгеньевич
Донской государственный технический университет, г. Ростов-на-Дону, Россия
Поделиться