Тонкие пленки халькогенидных материалов с фазовым переходом применяются в фотонных интегральных схемах, электрической фазовой памяти, нейроморфных вычислениях. Анализ тепловых эффектов методом дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) – один из основных этапов изучения свойств халькогенидных материалов. Как правило, для исследования методом ДСК используются материалы в виде порошка. Результаты таких исследований не в полной мере отражают процессы, происходящие в тонких пленках. В работе предложен метод пробоподготовки для ДСК-измерений тонкопленочных образцов. Проведено сравнение результатов, полученных разными методами пробоподготовки, включая температурную зависимость удельного сопротивления тонких пленок. Выяснено, что значения температуры кристаллизации, полученные с использованием рассмотренных методов, близки к результатам исследования температурной зависимости удельного сопротивления. Предложенный метод пробоподготовки показывает более точные результаты при исследовании тонкопленочных материалов.
-
Ключевые слова:
тонкие пленки, халькогениды, дифференциальная сканирующая калориметрия, фазопеременные материалы
-
Опубликовано в разделе:
Краткие сообщения
-
Библиографическая ссылка:
Бабич А. В., Голубева Д. А., Гнеушев Д. А., Лазаренко П. И., Колобов А. В., Шерченков А. А. Разработка метода измерения термических свойств тонкопленочных материалов с использованием дифференциальной сканирующей калориметрии. Изв. вузов. Электроника. 2026;31(3):372–376. DOI: 10.24151/1561-5405-2026-31-3-372-376.PETMNU
-
Источник финансирования:
работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 20-79-10322, https://rscf.ru/project/20-79-10322/).
Бабич Алексей Вальтерович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Голубева Дарья Андреевна
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Гнеушев Даниил Андреевич
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Лазаренко Петр Иванович
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Колобов Александр Владимирович
Российский государственный педагогический университет имени А. И. Герцена, Россия, 191186, Санкт-Петербург, набережная реки Мойки, 48
1. Pries J., Sehringer J. C., Wei Sh., Lucas P., Wuttig M. Glass transition of the phase change material AIST and its impact on crystallization. Mater. Sci. Semicond. Process. 2021;134:105990. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105990
2. Kim D., Jung T. S., Park H., Yang W., Han J., Hwang S. et al. Phase-change mechanism and role of each element in Ag-In-Sb-Te: Chemical bond evolution. Appl. Surf. Sci. 2021;544:148838. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.148838
3. Sarswat K. K., Sharma I., Dahshan A., Mehta N. Crystallization temperature predictions in phase-change materials using a novel approach. Mater. Lett. 2025;390:138439. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2025.138439
4. Horvat P., Škapin A. S., Štangar U. L., Korošec R. C. Thermal techniques as a tool for the direction of the preparation of photocatalytically efficient titania thin films and powders. J. Therm. Anal. Calorim. 2020;146:1121–1131. https://doi.org/10.1007/s10973-020-10099-x
5. Yakubov A., Sherchenkov A., Babich A., Lazarenko P., Sagunova I., Kirilenko E. Influence of the adjacent layers on the crystallization kinetics of Ge2Sb2Te5
thin films. J. Therm. Anal. Calorim. 2020;142:1019–1029. https://doi.org/10.1007/s10973-020-10013-5
6. Svoboda R., Prikryl J., Krbal M. Native crystal growth in 60 nm Sb2S3
amorphous film: A joint microscopy–calorimetry study. J. Chem. Phys. 2025;163:104502. https://doi.org/10.1063/5.0283530