Нормально-закрытые GaN-транзисторы для комплементарной пары

1. GaN-on-Si power technology: Devices and applications / K. J. Chen, O. Häberlen, A. Lidow et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2017. Vol. 64. No. 3. P. 779–795. https://doi.org/10.1109/TED.2017.2657579

2. Mishra U. K., Shen L., Kazior T. E., Wu Y.-F. GaN based RF power devices and amplifiers // Proceedings of the IEEE. 2008. Vol. 96. No. 2. P. 287–305. https://doi.org/10.1109/JPROC.2007.911060

3. Landford W. B., Tanaka T., Otoki Y., Adesida I. Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with high threshold voltage // Electron. Lett. 2005. Vol. 41. Iss. 7. P. 449–450. https://doi.org/10.1049/el:20050161

4. Cai Y., Zhou Y., Lau K. M., Chen K. J. Control of threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs by fluoride-based plasma treatment: From depletion mode to enhancement mode // IEEE Transactions on Electron Devices. 2006. Vol. 53. Iss. 9. P. 2207–2215. https://doi.org/10.1109/TED.2006.881054

5. Roccaforte F., Greco G., Fiorenza P., Iucolano F. An overview of normally-off GaN-based high electron mobility transistors // Materials. 2019. Vol. 12. Iss. 10. Art. No. 1599. https://doi.org/10.3390/ma12101599

6. Normally-off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors using hydrogen plasma treatment / R. Hao, K. Fu, G. Yu et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 109. Iss. 15. Art. No. 152106. https://doi.org/10.1063/1.4964518

7. P-channel GaN transistor based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si / N. Chowdhury, J. Lemettinen, Q. Xie et al. // IEEE Electron Device Letters. 2019. Vol. 40. No. 7. P. 1036–1039. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2916253

8. Gallium nitride-based complementary logic integrated circuits / Zh. Zheng, L. Zhang, W. Song et al. // Nat. Electron. 2021. Vol. 4. P. 595–603. https://doi.org/10.1038/s41928-021-00611-y

9. Demonstration of GaN integrated half-bridge with on-chip drivers on 200-mm engineered substrates / X. Li, K. Geens, W. Guo et al. // IEEE Electron Device Letters. 2019. Vol. 40. No. 9. P. 1499–1502. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2929417

10. High I_ON and I_ON/I_OFF ratio enhancement-mode buried p-channel GaN MOSFETs on p-GaN gate power HEMT platform / Zh. Zheng, W. Song, L. Zhang et al. // IEEE Electron Device Letters. 2020. Vol. 41. No. 1. P. 26–29. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2954035

11. The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al_0.3Ga_0.7N/AlN/GaN HEMT structure / L. Guo, Xiaol. Wang, C. Wang et al. // Microelectron. J. 2008. Vol. 39. Iss. 5. P. 777–781. https://doi.org/10.1016/j.mejo.2007.12.005

12. Sentaurus device user guide: version K-2015.06. Mountain View, CA: Synopsys Inc., 2015. XLVIII, 1446 p.

13. Greko G., Iucolano F., Roccaforte F. Ohmic contacts to gallium nitride materials // Appl. Surf. Sci. 2016. Vol. 383. P. 324–345. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.04.016

14. Егоркин В. И., Земляков В. Е., Капаев В. В., Кухтяева О. Б. Моделирование нормально закрытого HEMT транзистора на основе GaN/AlGaN с p-затвором // Микроэлектроника. 2020. Т. 49. № 6. С. 474–480. https://doi.org/10.31857/S0544126920060046. – EDN: SYAAWV.

15. High hole mobility p-type GaN with low residual hydrogen concentration prepared by pulsed sputtering / Y. Arakawa, K. Ueno, A. Kobayashi et al. // APL Mater. 2016. Vol. 4. Iss. 8. Art. No. 086103. https://doi.org/10.1063/1.4960485

16. P-type gallium nitride by reactive ion-beam molecular beam epitaxy with ion implantation, diffusion, or coevaporation of Mg / M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. Iss. 1. P. 64–66. https://doi.org/10.1063/1.110870

17. Yan Y. The investigation of aluminum oxide (Al₂O₃) as gate dielectric in ultra thin body and buried oxide (UTBB) fully depleted (FD) Silicon-on-Insulator (SOI) transistor: MSc (Electr. Eng.) diss. // Digital Master theses [Электронный ресурс]. 2019. URL: http://hdl.handle.net/2078.1/thesis:22526 (дата обращения: 24.07.2024).