Синтез и газочувствительные свойства 2D-нанокомпозитов WS2/g-C3N4

Раздел находится в стадии актуализации

Применение 2D-материалов в газовой сенсорике дает возможность создавать полупроводниковые быстродействующие адсорбционные сенсоры, не требующие нагрева. В работе рассмотрен 2D-нанокомпозит на основе материалов WS2 и g-C3N4, синтезированный методом одностадийного прокаливания. Исследованы морфология поверхности, фазовый состав и спектры поглощения нанокомпозита WS2/g-C3N4. Изучены его газочувствительные свойства при воздействии паров изопропанола, этанола, ацетона при комнатной температуре. Установлено, что полученный нанокомпозит содержит фазы графитоподобного нитрида углерода и дисульфида вольфрама. Ширина запрещенной зоны нанокомпозита составила 2,1 эВ. Изучена агломерация частиц при нанесении порошка нанокомпозита на стеклянную подложку. Максимальный отклик нанокомпозита к 1000 ppm ацетона составил 5 %. Разработанный 2D-нанокомпозит на основе WS2/g-C3N4 может быть использован в газовых сенсорах для работы во взрывоопасных средах, а также в носимых гибких электронных устройствах.
  • Ключевые слова: 2D-материал, газовый сенсор, WS2/g-C3N4, газочувствительность
  • Опубликовано в разделе: Mатериалы электроники
  • Библиографическая ссылка: Буй К. Д., Налимова С. С., Шомахов З. В., Самсыгин П. Ф. Синтез и газочувствительные свойства 2D-нанокомпозитов WS2/g-C3N4. Изв. вузов. Электроника. 2026;31(4):400–407. DOI: 10.24151/1561-5405-2026-31-4-400-407.CJGSKM
  • Источник финансирования: Благодарности: авторы выражают благодарность сотрудникам Центра сканирующей зондовой микроскопии СПбГЭТУ «ЛЭТИ» за помощь при проведении эксперимента.
Буй Конг Доан
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Россия, 197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, 5, лит. Ф
Налимова Светлана Сергеевна
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Россия, 197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, 5, лит. Ф
Шомахов Замир Валериевич
Кабардино-Балкарский гос. ун-т им. Х. М. Бербекова, Россия, 360004, Кабардино-Балкарская Республика, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173; Институт информатики и проблем регионального управления – филиал Кабардино-Балкарского научного центра РАН, Россия, 36
Самсыгин Павел Филиппович
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Россия, 197022, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, 5, лит. Ф

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru