Анализ температурных напряжений в композитном чувствительном элементе резонансно-частотного датчика давления

Раздел находится в стадии актуализации

При проектировании микродатчиков одна из важнейших задач – оценка температурных погрешностей и разработка способов их уменьшения. В работе исследовано температурное влияние на характеристики резонансно-частотного микроэлектромеханического датчика давления. Проведена численная оценка механических напряжений, возникающих в резонансно-частотном преобразователе давления. Исследовано их влияние на частотные характеристики датчика. Методом конечных элементов проведено численное моделирование напряженно-дефор-мированного состояния мембраны под действием статического давления и температурного поля в диапазоне –50…+85 °С. Проанализированы собственные частоты расположенных над мембраной резонаторов с разной конфигурацией, представляющих собой слоистую композитную структуру на основе титана и оксида алюминия. Предложены конструктивные решения, позволяющие компенсировать тепловые деформации резонаторов. Показано, что влияние температурного поля на частотные характеристики резонаторов снижено и, как следствие, уменьшена суммарная погрешность разрабатываемого датчика. Предложенные конструктивные решения позволили снизить температурные напряжения в композитных резонаторах до 9 % от первоначального значения при использовании керамической мембраны. Модификация сечения резонаторов позволила снизить температурные напряжения дополнительно на 58 %. В соответствии с этим суммарная погрешность чувствительного элемента, выраженная в виде температурного коэффициента частоты, уменьшилась с 2620–2770 ppm/°C до значений, не превышающих 500 ppm/°C.
Вторушин Сергей Евгеньевич
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40)
Таловская Алена Алексеевна
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40)
Барбин Евгений Сергеевич
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40); Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева, Россия, 634055, г. Томск, пл. Академика Зуева, 1
Кулинич Иван Владимирович
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40)
Коледа Алексей Николаевич
Томский политехнический университет, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30
Нестеренко Тамара Георгиевна
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Россия, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40)

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru