1. MMIC amplifiers with shutdown and bypass features de-mystified // Mini-Circuits [Электронный ресурс]. 09.10.2021. URL:
https://blog.minicircuits.com/mmic-amplifiers-with-shutdown-and-bypass-features-de-mystified/(дата обращения: 07.10.2024).
2. Morkner H., Frank M., Yajima S. A miniature PHEMT switched-LNA for 800 MHz to 8.0 GHz handset applications // 1999 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (Cat No. 99CH37001). Anaheim, CA: IEEE, 1999. P. 109-112. DOI: 10.1109/RFIC.1999.805250
3. A 1.95 GHz sub-1 dB NF, +40 dBm OIP3 WCDMA LNA module / J. Bergervoet, D. M. W. Leenaerts, G. W. de Jong et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2012. Vol. 47. Iss. 7. P. 1672-1680. DOI: 10.1109/JSSC.2012.2191673
4. Текшев В. Б. Двухтранзисторный СВЧ усилитель с минимальным коэффициентом шума и согласованным входом и выходом // Вопросы радиоэлектроники: науч.-техн. сб. Серия: Общие вопросы радиоэлектроники. Вып. 15. Ростов н/Д: РНИИРС, 1990. С. 16-23.
Tekshev V. B. A two-transistor microwave amplifier with a minimum noise figure and a matched input and output. Voprosy radioelektroniki, sci-tech collection. Seriya: Obshchiye voprosy radioelektroniki. Iss. 15. Rostov-on-Don, RNIIRS Publ., 1990, pp. 16–23. (In Russian).
5. Кондратенко А. В., Сорвачев П. С. Разработка GaAs МИС малошумящего усилителя X- диапазона // Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2018. Т. 1. С. 68-70. EDN: UUZAVI
Kondratenko А. V., Sorvachev P. S. X-band GaAs MMIC LNA design process. Elektronika i mikroelektronika SVCh, 2018, vol. 1, pp. 68–70. (In Russian).
6. An X-band low noise amplifier in 0.25-μm GaAs pHEMT process / Y. Jiang, G.-D. Su, C. Zhou et al. // 2022 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT). Harbin: IEEE, 2022. P. 1-3. DOI: 10.1109/ICMMT55580.2022.10023269
7. Лосев В. В., Кондратенко А. В., Сорвачев П. С., Кулиш А. М. Проектирование МИС малошумящего усилителя X-диапазона частот на основе технологического процесса 0,5 мкм GaAs pHEMT // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2023. № 4 (192). С. 27-35. -. DOI: 10.7868/S2410993223040048 EDN: DGSRXL
Losev V. V., Kondratenko A. V., Sorvachev P. S., Kulish A. M. Design of X-band MMIC low-noise amplifier in GaAs-based 0.5 um pHEMT technology. Elektronnaya tekhnika. Ser. 3. Mikroelektronika = Electronic Engineering. Series 3. Microelectronics, 2023, no. 4 (192), pp. 27–35. (In Russian).
https://doi.org/10.7868/S2410993223040048
8. Devlin L. The design of integrated switches and phase shifters // IEE Tutorial Colloquium Design of RFICs and MMICs (Ref. No. 1999/158). London: IET, 1999. P. 2/1-2/14.
9. Березняк А. Ф., Коротков А. С. Синтез и реализация монолитных интегральных схем СВЧ-переключателей на основе GaAs рНЕМТ-технологии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Информатика. Телекоммуникации. Управление. 2019. Т. 12. № 4. С. 84-96. -. DOI: 10.18721/JCSTCS.12407 EDN: EGEUAT
Berezniak A. F., Korotkov A. S. Design method and manufacturing monolithic microwave integrated circuit switches on GaAs pНЕМТ. Nauchno-tekhnicheskiye vedomosti Sankt-Peterburgskogo gosudarstvennogo politekhnicheskogo universiteta. Informatika. Telekommunikatsii. Upravleniye = St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Computer Science. Telecommunications and Control Systems, 2019, vol. 12, no. 4, pp. 84–96. (In Russian).
https://doi.org/10.18721/JCSTCS.12407
10. Fully integrated switch-LNA front-end IC design in CMOS: A systematic approach for WLAN / A. Madan, M. J. McPartlin, Z.-F. Zhou et al. // IEEE J. Solid-State Circuits. 2011. Vol. 46. Iss. 11. P. 2613-2622. DOI: 10.1109/JSSC.2011.2166216
11. HMC8414: datasheet // Analog Devices [Электронный ресурс]. URL:
https://www.analog.com/en/products/hmc8414.html (дата обращения: 10.02.2022).
12. MSP013D: GaAs МШУ с "байпас"-каналом X-диапазона частот // АО "Микроволновые системы" [Электронный ресурс]. URL:
https://www.mwsystems.ru/attach/nom/222.pdf (дата обращения: 21.10.2024).
MSP013D: GaAs LNA with X-band “Bypass” channel. Microwave Systems JSC. (In Russian).
Available at:
https://www.mwsystems.ru/attach/nom/222.pdf (accessed 10.02.2024).
13. Low noise amplifier TSY-83LN+: datasheet // Mini-Circuits [Электронный ресурс]. URL:
https://www.minicircuits.com/pdfs/TSY-83LN+.pdf (дата обращения: 07.10.2024).
14. A SiGe BiCMOS bypass low-noise amplifier for X-band phased array RADARs / E. Turkmen, A. Burak, C. Caliskan et al. // 2018 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC). Kyoto: IEEE, 2018. P. 222-224. DOI: 10.23919/APMC.2018.8617208
15. QM14068 UWB LNA and switch: datasheet // Qorvo [Электронный ресурс]. URL:
https://www.qorvo.com/products/d/da009154 (дата обращения: 21.10.2024).
16. ADL8112: datasheet // Analog Devices [Электронный ресурс]. URL:
https://www.analog.com/en/products/adl8112.html (дата обращения: 10.02.2022).