Атомно-слоевое осаждение оксида тантала для сенсоров на основе полевого эффекта

1. Pfeiffer K., Schulz U., Tünnermann A., Szeghalmi A. Antireflection coatings for strongly curved glass lenses by atomic layer deposition // Coatings. 2017. Vol. 7. Iss. 8. Art. No. 118. https://doi.org/10.3390/coatings7080118

2. Ryu J.-H., Kim S. Improved intrinsic nonlinear characteristics of Ta₂O₅/Al₂O₃-based resistive random-access memory for high-density memory applications // Materials. 2020. Vol. 13. Iss. 18. Art. No. 4201. https://doi.org/10.3390/ma13184201

3. Miniaturized pH-sensitive field-effect capacitors with ultrathin Ta₂O₅ films prepared by atomic layer deposition / D. Molinnus, H. Iken, A. L. Johnen et al. // Phys. Status Solidi A. 2022. Vol. 219. Iss. 8. Art. ID: 2100660. https://doi.org/10.1002/pssa.202100660

4. Dinar A. M., Mohd Zain A. S., Salehuddin F. Comprehensive identification of sensitive and stable ISFET sensing layer high-k gate based on ISFET/electrolyte models // Int. J. Electr. Comput. Eng. (IJECE). 2019. Vol. 9. No. 2. P. 926–933. http://doi.org/10.11591/ijece.v9i2.pp926-933

5. Matsuo T., Esashi M. Methods of ISFET fabrication // Sensors and Actuators. 1981. Vol. 1. P. 77–96. https://doi.org/10.1016/0250-6874(81)80006-6

6. Gurylev V. A review on the development and advancement of Ta₂O₅ as a promising photocatalyst // Mater. Today Sustainability. 2022. Vol. 18. Art. No. 100131. https://doi.org/10.1016/j.mtsust.2022.100131

7. Oke J. A., Jen T.-C. Atomic layer deposition and other thin film deposition techniques: From principles to film properties // J. Mater. Res. Technol. 2022. Vol. 21. P. 2481–2514. https://doi.org/10.1016/j.jmrt.2022.10.064

8. Kukli K., Ritala M., Leskelä M. Atomic layer deposition and chemical vapor deposition of tantalum oxide by successive and simultaneous pulsing of tantalum ethoxide and tantalum chloride // Chem. Mater. 2000. Vol. 12. Iss. 7. P. 1914–1920. https://doi.org/10.1021/cm001017j

9. Sundqvist J., Högberg H., Hårsta A. Atomic layer deposition of Ta₂O₅ using the TaI₅ and O₂ precursor combination // Chem. Vap. Deposition. 2003. Vol. 9. Iss. 5. P. 245–248. https://doi.org/10.1002/cvde.200306243

10. Yota J. Characterization of ALD Ta₂O₅, Al₂O₃, and Ta₂O₅/Al₂O₃ nanolaminate as metal-insulator-metal capacitor dielectric for GaAs HBT technology // ECS Trans. 2022. Vol. 109. No. 5. P. 27–38. https://doi.org/10.1149/10905.0027ecst

11. Outstanding memory characteristics with atomic layer deposited Ta₂O₅/Al₂O₃/TiO₂/Al₂O₃/Ta₂O₅ nanocomposite structures as the charge trapping layer / P. Han, T.-C. Lai, M. Wang et al. // Appl. Surf. Sci. 2019. Vol. 467–468. P. 423–427. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.10.197

12. Maeng W. J., Park S.-J., Kim H. Atomic layer deposition of Ta-based thin films: Reactions of alkylamide precursor with various reactants // J. Vac. Sci. Technol. B. 2006. Vol. 24. Iss. 5. P. 2276–2281. https://doi.org/10.1116/1.2345205

13. Properties of amorphous and crystalline Ta₂O₅ thin films deposited on Si from a Ta(OC₂H₅)₅ precursor / C. Chaneliere, S. Four, J. L. Autran et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. Iss. 9. P. 4823–4829. https://doi.org/10.1063/1.367277

14. Maeng W. J., Kim H. Thermal and plasma-enhanced ALD of Ta and Ti oxide thin films from alkylamide precursors // Electrochem. Solid-State Lett. 2006. Vol. 9. No. 6. P. G191–G194. https://doi.org/10.1149/1.2186427

15. Chaneliere C., Autran J. L., Devine R. A. B., Balland B. Tantalum pentoxide (Ta₂O₅) thin films for advanced dielectric applications // Mater. Sci. Eng., R. 1998. Vol. 22. Iss. 6. P. 269–322. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(97)00023-5

16. Surface profile gradient in amorphous Ta₂O₅ semi conductive layers regulates nanoscale electric current stability / A. C. Cefalas, Z. Kollia, N. Spyropoulos-Antonakakis et al. // Appl. Surf. Sci. 2017. Vol. 396. P. 1000–1019. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.11.076

17. Nakagawa Y., Okada T. Material constants of new piezoelectric Ta₂O₅ thin films // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. Iss. 2. P. 556–559. https://doi.org/10.1063/1.346828

18. Van Hal R. E. G., Eijkel J. C. T., Bergveld P. A general model to describe the electrostatic potential at electrolyte oxide interfaces // Adv. Colloid Interface Sci. 1996. Vol. 69. Iss. 1–3. P. 31–62. https://doi.org/10.1016/S0001-8686(96)00307-7