Расчет КПД фотодиода при наличии генерации и рекомбинации в области пространственного заряда

1. Sah C.-T., Noyce R. N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p–n junctions and p–n junction characteristics // Proceedings of the IRE. 1957. Vol. 45. No. 9. P. 1228–1243. https://doi.org/10.1109/JRPROC.1957.278528

2. Sze S. M. Semiconductor devices: Physics and technology. Hoboken, NJ: J. Wiley & Sons, 2002. 564 p.

3. Булярский С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. 399 с.

4. Физика полупроводниковых преобразователей / под ред. А. Н. Саурова, С. В. Булярского. М.: РАН, 2018. 276 с.

5. Булярский С. В., Лакалин А. В., Сауров М. А. Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения γ-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов // ФТП. 2021. Т. 55. № 1. С. 69–74. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.01.50389.9455. – EDN: KHEXKK.

6. Старосельский И. В. Моделирование тока генерации-рекомбинации носителей заряда в p–n-переходе // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. № 2. С. 50–56. EDN: KSXULH.

7. Булярский С. В., Грушко Н. С., Сомов А. И., Лакалин А. В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора // ФТП. 1997. Т. 31. № 9. С. 1146–1150. EDN: RYMOPR.

8. Булярский С. В., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам p–n-перехода // ФТП. 1998. Т. 32. № 10. С. 1193–1196. EDN: RYNMGN.

9. Гаман В. И. Физика полупроводниковых приборов: учеб. пособие. 2-е изд., доп. и перераб. Томск: Изд-во науч.-техн. лит., 2000. 426 с.

10. Беневоленский С. Б., Метелкин Е. В., Четвериков Н. И., Четверикова И. Ф. Физические основы работы полупроводниковых приборов. М.: Физматлит, 2003. 340 с.