Publication of the journal

1. Fowler R. H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields // Proc. R. Soc. Lond. A. 1928. Vol. 119. Iss. 781. P. 173–181. https://doi.org/10.1098/rspa.1928.0091

2. Nordheim L. Zur Elektronentheorie der Metalle. I // Ann. Phys. 1931. Vol. 401. Iss. 5. P. 607–640. https://doi.org/10.1002/andp.19314010507

3. Forbes R. G. Comments on the continuing widespread and unnecessary use of a defective emission equation in field emission related literature // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. Iss. 21. Art. No. 210901. https://doi.org/10.1063/1.5117289

4. Márquez-Mijares M., Lepetit B. A three dimensional numerical quantum mechanical model of field electron emission from metallic surfaces covered with carbon adsorbates // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. Iss. 6. Art. No. 065107. https://doi.org/10.1063/1.5094238

5. Forbes R. G. Renewing the mainstream theory of field and thermal electron emission // Modern Developments in Vacuum Electron Sources / eds G. Gaertner, W. Knapp, R. G. Forbes. Cham: Springer, 2020. P. 387–447. https://doi.org/10.1007/978-3-030-47291-7_9

6. Forbes R. G. 21st century planar field emission theory and its role in vacuum breakdown science // 2020 29th International Symposium on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum (ISDEIV). Padova: IEEE, 2021. P. 3–10. https://doi.org/10.1109/ISDEIV46977.2021.9587119

7. Jensen K. L. A tutorial on electron sources // IEEE Transactions on Plasma Science. 2018. Vol. 46. No. 6. P. 1881–1899. https://doi.org/10.1109/TPS.2017.2782485

8. Jensen K. L. A reformulated general thermal-field emission equation // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. Iss. 6. Art. No. 065302. https://doi.org/10.1063/1.5109676

9. Lepetit B. Electronic field emission models beyond the Fowler – Nordheim one // Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 122. Iss. 21. Art. No. 215105. https://doi.org/10.1063/1.5009064

10. Lepetit B. A quantum mechanical model of electron field emission from two dimensional materials. Application to graphene // Journal of Applied Physics. 2021. Vol. 129. Iss. 14. Art. No. 144302. https://doi.org/10.1063/5.0047771

11. Kyritsakis A., Djurabekova F. A general computational method for electron emission and thermal effects in field emitting nanotips // Computational Materials Science. 2017. Vol. 128. P. 15–21. https://doi.org/ 10.1016/j.commatsci.2016.11.010

12. Kyritsakis A., Veske M., Djurabekova F. General scaling laws of space charge effects in field emission // New J. Phys. 2021. Vol. 23. No. 6. Art. No. 063003. https://doi.org/10.1088/1367-2630/abffa8

13. Егоров Н. В., Шешин Е. П. Автоэлектронная эмиссия: Принципы и приборы. Долгопрудный: Интеллект, 2011. 703 с.

14. Фурсей Г. Н. Автоэлектронная эмиссия. СПб.: Лань, 2012. 319 с.

15. Buck D. A., Shoulders K. R. An approach to microminiature printed systems // Papers and Discussions Presented at the Dec. 3–5, 1958, Eastern Joint Computer Conference: Modern Computers: Objectives, Designs, Applications (AIEE-ACM-IRE ’58 (Eastern)). New York: ACM Press, 1958. P. 55–59. https://doi.org/10.1145/ 1458043.1458057

16. Shoulders K. R. Microelectronics using electron-beam-activated machining techniques // Advances in Computers. 1961. Vol. 2. P. 135–293. https://doi.org/10.1016/S0065-2458(08)60142-4

17. Spindt C. A., Shoulders K. R. Research in micron-size field-emission tubes // IEEE 1966 8th Conference on Tube Techniques. New York: IEEE, 1966. P. 143.

18. Spindt C. A. A thin‐film field‐emission cathode // Journal of Applied Physics. 1968. Vol. 39. Iss. 7. P. 3504–3505. https://doi.org/10.1063/1.1656810

19. Spindt С. А., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E. R. Physical properties of thin‐film field emission cathodes with molybdenum cones // Journal of Applied Physics. 1976. Vol. 47. Iss. 12. P. 5248–5263. https://doi.org/10.1063/1.322600

20. А. с. 107388 СССР. Способ уменьшения ионной бомбардировки эмитирующих электроны металлических острий / М. И. Елинсон, Г. Ф. Васильев; заявл. 24.09.1955; опубл. 10.09.1957.

21. Пат. 2044363 РФ. Устройство с автоэлектронной эмиссией (его варианты) / Н. А. Дюжев, А. Б. Ишкарин; заявл. 08.07.1994; опубл. 20.09.1995.

22. Jennings S. G. The mean free path in air // Journal of Aerosol Science. 1988. Vol. 19. Iss. 2. P. 159–166. https://doi.org/10.1016/0021-8502(88)90219-4

23. Electron emission devices for energy‐efficient systems / S. Nirantar, T. Ahmed, M. Bhaskaran et al. // Adv. Intell. Syst. 2019. Vol. 1. Iss. 4. Art. ID: 1900039. https://doi.org/10.1002/aisy.201900039

24. Nottingham W. B. Remarks on energy losses attending thermionic emission of electrons from metals // Phys. Rev. 1941. Vol. 59. Iss. 11. P. 906. https://doi.org/10.1103/PhysRev.59.906.2

25. Месяц Г. А. Взрывная электронная эмиссия. М.: Физматлит, 2011. 280 с.

26. Self-modulated field electron emitter: Gated device of integrated Si tip-on-nano-channel / Z. Huang, Y. Huang, Z. Pan et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 109. Iss. 23. Art. No. 233501. https://doi.org/10.1063/ 1.4971336

27. Guerrera S. A., Akinwande A. I. Nanofabrication of arrays of silicon field emitters with vertical silicon nanowire current limiters and self-aligned gates // Nanotechnology. 2016. Vol. 27. No. 29. Art. No. 295302. https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/29/295302

28. Kolosko A. G., Popov E. O., Filippov S. V. Analysis of the behavior of individual emission sites on the surface of a multi-tip field cathode // Tech. Phys. Lett. 2019. Vol. 45. Iss. 3. P. 304–307. https://doi.org/ 10.1134/S1063785019030283

29. Ab initio calculation of field emission from metal surfaces with atomic-scale defects / H. Toijala, K. Eimre, A. Kyritsakis et al. // Phys. Rev. B. 2019. Vol. 100. Iss. 16. Art. ID: 165421. https://doi.org/ 10.1103/PhysRevB.100.165421

30. Fujita S., Shimoyama H. Mechanism of surface-tension reduction by electric-field application: Shape changes in single-crystal field emitters under thermal-field treatment // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. Iss. 23. Art. ID: 235431. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.75.235431

31. Double-gated, Spindt-type field emitter with improved electron beam extraction / Y. Honda, M. Nanba, K. Miyakawa et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2016. Vol. 63. No. 5. P. 2182–2189. https://doi.org/10.1109/TED.2016.2545710

32. Nagao M., Gotoh Y., Neo Y., Mimura H. Beam profile measurement of volcano-structured double-gate Spindt-type field emitter arrays // J. Vac. Sci. Technol. B. 2016. Vol. 34. Iss. 2. Art. ID: 02G108. https://doi.org/ 10.1116/1.4944453

33. Deka N., Subramanian V. On-chip fully integrated field emission arrays for high-voltage MEMS applications // IEEE Transactions on Electron Devices. 2020. Vol. 67. No. 9. P. 3753–3760. https://doi.org/ 10.1109/TED.2020.3006167

34. Chang W.-T., Chuang T.-Y., Su Ch.-W. Metal-based asymmetric field emission diodes operated in the air // Microelectronic Engineering. 2020. Vol. 232. Art. No. 111418. https://doi.org/10.1016/j.mee.2020.111418

35. Chang W.-T., Cheng M.-Ch., Chuang T.-Y., Tsai M.-Y. Field emission air-channel devices as a voltage adder // Nanomaterials. 2020. Vol. 10. Iss. 12. Art. No. 2378. https://doi.org/10.3390/nano10122378

36. Metal–air transistors: Semiconductor-free field-emission air-channel nanoelectronics / S. Nirantar, T. Ahmed, G. Ren et al. // Nano Lett. 2018. Vol. 18. No. 12. P. 7478–7484. https://doi.org/10.1021/ acs.nanolett.8b02849

37. De Rose L. B., Scherer A., Jones W. M. Suspended nanoscale field emitter devices for high-temperature operation // IEEE Transactions on Electron Devices. 2020. Vol. 67. No. 11. P. 5125–5131. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3019765

38. Nanoscale vacuum channel transistor with in-plane collection structure / J. Xu, H. Hu, W. Yang et al. // Nanotechnology. 2020. Vol. 31. No. 6. Art. No. 065202. https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab51cb

39. Optimization of a field emission electron source based on nano-vacuum channel structures / J. Xu, C. Lin, Y. Shi et al. // Micromachines. 2022. Vol. 13. Iss. 8. Art. No. 1274. https://doi.org/10.3390/mi13081274

40. Srisonphan S. Field effect-controlled space-charge limited emission triode with nanogap channels // IEEE Electron Device Letters. 2021. Vol. 42. No. 10. P. 1540–1543. https://doi.org/10.1109/LED.2021.3103557

41. Field emission from carbon nanostructures / F. Giubileo, A. Di Bartolomeo, L. Iemmo et al. // Applied Sciences. 2018. Vol. 8. Iss. 4. Art. No. 526. https://doi.org/10.3390/app8040526

42. Comparison of field emission performances and durability of three nanocarbon materials / M.-J. Youh, C.-S. Lin, N.-W. Pu et al. // Vacuum. 2020. Vol. 177. Art. ID: 109382. https://doi.org/10.1016/ j.vacuum.2020.109382

43. Углеродные материалы для автоэмиссионных приборов на их основе / З. Я. Лвин, Е. П. Шешин, Н. Ч. Чжо и др. // Труды МФТИ. 2018. Т. 10. № 2 (38). C. 30–46. EDN: XTWBOH.

44. Шестеркин В. И. Эмиссионно-эксплуатационные характеристики различных типов автоэмиссионных катодов // Радиотехника и электроника. 2020. Т. 65. № 1. С. 3–30. https://doi.org/10.31857/ S0033849420010040. – EDN: FFULEM.

45. The rise of carbon materials for field emission / N. Dwivedi, Ch. Dhand, J. D. Carey et al. // J. Mater. Chem. C. 2021. Vol. 9. Iss. 8. P. 2620–2659. https://doi.org/10.1039/D0TC05873D

46. Елецкий А.В. Холодные полевые эмиттеры на основе углеродных нанотрубок // УФН. 2010. Т. 180. № 9. С. 897–930. EDN: MTVUHF.

47. Electric field effect in atomically thin carbon films / K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov et al. // Science. 2004. Vol. 306. Iss. 5696. P. 666–669. https://doi.org/10.1126/science.1102896

48. Егоров Н. В., Шешин Е. П. Современное состояние автоэмиссионной электроники // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017. № 3. С. 5–15. https://doi.org/ 10.7868/S0207352817030088. – EDN: YIVPRJ.

49. Field electron emission characteristics and physical mechanism of individual single-layer graphene / Z. Xiao, J. She, S. Deng et al. // ACS Nano. 2010. Vol. 4. Iss. 11. P. 6332–6336. https://doi.org/ 10.1021/nn101719r

50. Shao X., Srinivasan A., Ang W. K., Khursheed A. A high-brightness large-diameter graphene coated point cathode field emission electron source // Nat. Commun. 2018. Vol. 9. Art. No. 1288. https://doi.org/ 10.1038/s41467-018-03721-y

51. Fabrication and characterization of HfC coated Si field emitter arrays / T. Sato, S. Yamamoto, M. Nagao et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. Iss. 4. P. 1589–1593. https://doi.org/10.1116/ 1.1569933

52. Enhanced field emission from lanthanum hexaboride coated multiwalled carbon nanotubes: Correlation with physical properties / R. Patra, S. Ghosh, E. Sheremet et al. // Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 116. Iss. 16. Art. No. 164309. https://doi.org/10.1063/1.4898352

53. Electron field emission from chemical vapor deposited diamond films / A. N. Obraztsov, I. Yu. Pavlovsky, A. P. Volkov et al. // J. Electrochem. Soc. 1998. Vol. 145. No. 7. P. 2572–2576. https://doi.org/10.1149/1.1838682

54. Handbook of semiconductor manufacturing technology / eds R. Doering, Y. Nishi. 2nd ed. Boca Raton, FL: CRC Press, 2008. 1722 p.

55. Tsong T. T. Field penetration and band bending near semiconductor surfaces in high electric fields // Surface Science. 1979. Vol. 81. Iss. 1. P. 28–42. https://doi.org/10.1016/0039-6028(79)90503-X

56. Thomas R. N., Wickstrom R. A., Schroder D. K., Nathanson H. C. Fabrication and some applications of large-area silicon field emission arrays // Solid-State Electronics. 1974. Vol. 17. Iss. 2. P. 155–163. https://doi.org/10.1016/0038-1101(74)90063-X

57. Махов В. И., Дюжев Н. А., Пинаев И. В. Влияние диэлектрического покрытия туннельной толщины на эмиссионные характеристики автоэлектронного катода // XIX Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике (Ташкент, сент. 1984 г.): секции 3, 4, 5. Ташкент: Фан, 1984. С. 45.

58. Дюжев Н. А., Махиборода М. А., Скворцов В. Э. Электронно-лучевой микродисплей высокого разрешения на базе кремниевого автоэмиссионного нанокатода // Rusnanotech’08: Международный форум по нанотехнологиям: сборник тез. докл. науч.-техн. секций (Москва, 03–05 дек. 2008 г.). М.: Российская корпорация нанотехнологий, 2008. Т. 2. 536 с.

59. Разработка технологических принципов создания системы микрофокусных рентгеновских трубок на основе кремниевых автоэмиссионных нанокатодов / Н. А. Дюжев, Г. Д. Демин, Н. А. Филиппов и др. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 12. С. 1836–1842. https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48479.137-19. – EDN: UGTCST.

60. Bohling C., Sigmund W. Self-limitation of native oxides explained // Silicon. 2016. Vol. 8. Iss. 3. P. 339–343. https://doi.org/10.1007/s12633-015-9366-8

61. Wu C.-C., Ou K.-L., Tseng C.-L. Fabrication and characterization of well-aligned and ultra-sharp silicon nanotip array // Nanoscale Res. Lett. 2012. Vol. 7. Iss. 1. Art. No. 120. https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-120

62. Makhov V. I. Ballistic field-emission devices // Proceedings of the 2nd INT Conference on Vacuum Microelectronics, Bath, England. Bristol: Taylor & Francis, 1989. P. 235–238. (IOP Conf. Series; No. 99).

63. Park C.-M., Lim M.-S., Han M.-K. A novel in situ vacuum encapsulated lateral field emitter triode // IEEE Electron Device Letters. 1997. Vol. 18. No. 11. P. 538–540. https://doi.org/10.1109/55.641438

64. Lateral silicon field-emission devices using electron beam lithography / S. Han, S. Yang, T. Hwang et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. No. 5R. P. 2556–2559. https://doi.org/10.1143/JJAP.39.2556

65. Han J.-W., Jae Sub Oh, Meyyappan M. Vacuum nanoelectronics: Back to the future? – Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. Iss. 21. Art. No. 213505. https://doi.org/10.1063/1.4717751

66. Han J.-W., Moon D.-I., Meyyappan M. Nanoscale vacuum channel transistor // Nano Lett. 2017. Vol. 17. Iss. 4. P. 2146–2151. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b04363

67. CRC handbook of chemistry and physics: A ready-reference book of chemical and physical data, 2016–2017 / eds W. M. Haynes, D. R. Lide, T. J. Bruno. 97th ed. Boca Raton, FL: CRC Press, 2016. 2652 p.

68. Wort C. J. H., Balmer R. S. Diamond as an electronic material // Materials Today. 2008. Vol. 11. Iss. 1-2. P. 22–28. https://doi.org/10.1016/S1369-7021(07)70349-8

69. SiC materials and devices / eds M. Shur, S. L. Rumyantsev, M. E. Levinshtein. New Jersey; London; Singapore: World Scientific, 2006. Vol. 1. 1033 p.

70. Nanoscale vacuum channel transistors fabricated on silicon carbide wafers / J.-W. Han, M.-L. Seol, D.-I. Moon et al. // Nat. Electron. 2019. Vol. 2. Iss. 9. P. 405–411. https://doi.org/10.1038/s41928-019-0289-z

71. Kondratyev A. M., Rakhel A. D. Melting line of graphite // Phys. Rev. Lett. 2019. Vol. 122. Iss. 17. Art. ID: 175702. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.175702

72. Subramanian K., Kang W. P., Davidson J. L. A monolithic nanodiamond lateral field emission vacuum transistor // IEEE Electron Device Letters. 2008. Vol. 29. No. 11. P. 1259–1261. https://doi.org/10.1109/ LED.2008.2005516

73. A review of recent results on diamond vacuum lateral field emission device operation in radiation environments / K. Subramanian, W. P. Kang, J. L. Davidson et al. // Microelectronic Engineering. 2011. Vol. 88. Iss. 9. P. 2924–2929. https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.161

74. Ghosh N., Kang W. P., Davidson J. L. Nanodiamond lateral field emission vacuum logic OR gate // Electronics Letters. 2011. Vol. 47. Iss. 16. P. 926–927. https://doi.org/10.1049/el.2011.1586

75. Ghosh N., Kang W. P., Davidson J. L. Fabrication and implementation of nanodiamond lateral field emission diode for logic OR function // Diamond and Related Materials. 2012. Vol. 23. P. 120–124. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2012.01.030

76. Performance characteristics of nanocrystalline diamond vacuum field emission transistor array / S. H. Hsu, W. P. Kang, J. L. Davidson et al. // Journal of Applied Physics. 2012. Vol. 111. Iss. 11. Art. No. 114502. https://doi.org/10.1063/1.4723833

77. Hsu S. H., Kang W. P., Raina S., Huang J. H. Nanodiamond vacuum field emission device with gate modulated triode characteristics // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 102. Iss. 20. Art. No. 203105. https://doi.org/ 10.1063/1.4807128

78. Nanodiamond vacuum field emission microtriode / S.-H. Hsu, W. P. Kang, S. Raina et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. Vol. 35. Iss. 3. Art. No. 032201. https://doi.org/10.1116/1.4981018

79. Nabi G. Morphology role in 3D flower like GaN nanostructures as excellent field emitters // Materials Today Communications. 2020. Vol. 25. Art. ID: 101287. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2020.101287

80. Self-align-gated GaN field emitter arrays sharpened by a digital etching process / P.-C. Shih, G. Rughoobur, K. Cheng et al. // IEEE Electron Device Letters. 2021. Vol. 42. No. 3. P. 422–425. https://doi.org/10.1109/LED.2021.3052715

81. Han J.-W., Jae Sub Oh, Meyyappan M. Cofabrication of vacuum field emission transistor (VFET) and MOSFET // IEEE Transactions on Nanotechnology. 2014. Vol. 13. No. 3. P. 464–468. https://doi.org/10.1109/ TNANO.2014.2310774

82. Itoh J., Hirano T., Kanemaru S. Ultrastable emission from a metal–oxide–semiconductor field‐effect transistor‐structured Si emitter tip // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. Iss. 11. P. 1577–1578. https://doi.org/ 10.1063/1.117035

83. Yang W., She J., Deng S., Xu N. Field emission from a MOSFET-controlled ZnO-nanowire cold cathode // IEEE Transactions on Electron Devices. 2012. Vol. 59. No. 12. P. 3641–3646. https://doi.org/ 10.1109/TED.2012.2220548

84. Gated Si-tip with on-tip integrated gate-all-around field effect transistor for actively controlled field electron emission / M. Zeng, Yi. Huang, Yu. Huang et al. // IEEE Electron Device Letters. 2022. Vol. 43. No. 3. P. 466–469. https://doi.org/10.1109/LED.2022.3148397

85. Татаренко Н. И., Кравченко В. Ф. Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе. М.: Физматлит, 2006. 192 с.

86. Дюжев Н. А., Махиборода М. А., Федирко В. Л. Исследование различных режимов автоэлектронной эмиссии кремниевого кантилевера // Вакуумная наука и техника: материалы XIV науч.-техн. конф. (Сочи, 08–15 окт. 2007 г.). Сочи: МИЭМ, 2007. С. 248–251.

87. Patent 3500102 US. Thin electron tube with electron emitters at intersections of crossed conductors / M. E. Crost, K. Shoulders, M. H. Zinn; filed: 15.05.1967; publ.: 10.03.1970.

88. Meyer R. Microtips fluorescent display // Tech. Digest of Japan Display’86. 1986. P. 513–515.

89. Busta H. H. Field emission flat panel displays // Vacuum Microelectronics / ed. W. Zhu. Chichester: Wiley, 2001. P. 289–347. https://doi.org/10.1002/0471224332.ch7

90. Terranova M. L., Orlanducci S., Rossi M., Tamburri E. Nanodiamonds for field emission: State of the art // Nanoscale. 2015. Vol. 7. Iss. 12. P. 5094–5114. https://doi.org/10.1039/C4NR07171A

91. Basu A., Swanwick M. E., Fomani A. A., Velásquez-García L. F. A portable X-ray source with a nanostructured Pt-coated silicon field emission cathode for absorption imaging of low-Z materials // J. Phys. D: Appl. Phys. 2015. Vol. 48. No. 22. Art. No. 225501. https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/22/225501

92. MEMS ion source for ion mobility spectrometry / T. Grzebyk, P. Szyszka, M. Krysztof et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2019. Vol. 37. Iss. 2. Art. ID: 022201. https://doi.org/10.1116/1.5068750

93. Prototype of cathodoluminescent lamp for general lighting using carbon fiber field emission cathode / E. P. Sheshin, A. Yu. Kolodyazhnyj, N. N. Chadaev et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2019. Vol. 37. Iss. 3. Art. ID: 031213. https://doi.org/10.1116/1.5070108

94. A cylindrical triode ultrahigh vacuum ionization gauge with a carbon nanotube cathode / J. Zhang, J. Wei, D. Li et al. // Nanomaterials. 2021. Vol. 11. Iss. 7. Art. No. 1636. https://doi.org/10.3390/nano11071636

95. Position and attitude tolerances of carbon nanotube field emission cathode as a neutralizer in an ion engine system / J. Kinoshita, R. Ikeda, M. Adachi et al. // Trans. Japan Soc. Aero. Space Sci. 2021. Vol. 64. No. 5. P. 288–291. https://doi.org/10.2322/tjsass.64.288

96. Far UVC light for E. coli disinfection generated by carbon nanotube cold cathode and sapphire anode / S. T. Yoo, J. Y. Lee, A. Rodiansyah et al. // Current Applied Physics. 2021. Vol. 28. P. 93–97. https://doi.org/ 10.1016/j.cap.2021.05.007

97. Nanoscale vacuum channel Hall sensors / L. Fan, J. Bi, B. Zhao et al. // IEEE Sensors Journal. 2022. Vol. 22. No. 4. P. 23806–23811. https://doi.org/10.1109/JSEN.2022.3218466

98. Harafuji K., Tsuchiya T., Kawamura K. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal // Journal of Applied Physics. 2004. Vol. 96. Iss. 5. P. 2501–2512. https://doi.org/ 10.1063/1.1772878

99. Сечи Ф., Буджатти М. Мощные твердотельные СВЧ-усилители / пер. с англ. В. О. Султанова. М.: Техносфера, 2016. 412 с.