A four-parameter static mathematical model of a field-effect transistor, continuous with all its derivatives, has been proposed. The specific feature of the model is the application of physical parameters effectively determined by the least-squares method.
1. Foty D.P. M0SFET modeling with SPICE: principles and practice. Prentice Hall РТR, NJ, 1997. - Р. 653.
2. McAndrew С.С., Вhattacharyya В.К., Wang О.А. C∞-continuous depletion capacitance model // IEEE Trans. Computed-Aided Design. - 1993. - Vol. CAD-12, June. - Р. 825-828.
3. Antognetti Р., Massobrio G. (Eds.) Semiconductor Device Modeling with SPICE. - New York: McGraw-Hill, 1987.
4. Гергель В.А., Марасанов А.В., Орешкин Г.И. Простая аналитическая модель короткоканального МОП-транзистора для численного моделирования схемотехнических задач // Микроэлектроника. - 1989. - Т. 18, вып. 2. - С. 162-165.
5. Бирюков В.Н., Пилипенко А.М. Исследование трехпараметрической модели высокочастотного полевого транзистора // Изв. вузов. Электроника. - 2003. - № 6. - С. 22-26.
6. Бирюков В.Н. Анализ высоковольтного и охлаждаемого МДП-транзистора. Сб. XII Всесоюзная научная конференция по микроэлектронике. Тез. докладов. Ч. 1. Тбилиси, 1987. - С. 139-140.