The results of measuring the temperature coefficient of the logic unit of logic elements in the CMOS digital microcircuits under various loading current have been presented. The model explaining the obtained dependences based on the temperature dependence of the mobility of charge carriers in the channel target MOSFET transistors has been offered.
Приведены результаты измерения температурного коэффициента напряжения логической единицы логических элементов КМОП цифровых микросхем при различных токах нагрузки. Предложена модель, объясняющая полученные зависимости на основе температурной зависимости подвижности носителей заряда в канале выходных МОП-транзисторов.