1561-5405

10.24151/1561-5405

Proceedings of Universities. Electronics

Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"

Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»

1561-5405 2587-9960

National Research University of Electronic Technology

Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Микроэлектронные приборы и системы

Archives

Лазерное имитационное моделирование объемных ионизационных эффектов в субмикронных СБИС

Скоробогатов Петр Константинович

Скоробогатов

Петр Константинович

Konstantinovich

Skorobogatov Petr

Skorobogatov Petr Konstantinovich

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

3943

http://ivuz-e.ru/issues/97-_2012/lazernoe_imitatsionnoe_modelirovanie_obemnykh_ionizatsionnykh_effektov_v_submikronnykh_sbis/

The adequacy of the laser based dose rate effects simulation in IC's may be disturbed due to metallization shadowing. It has been shown that the optical diffraction can limit the laser dose rate simulation at 0.18μm technology level.

Адекватность лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов (мощности дозы) в микросхемах нарушается

мощность дозылазерное моделированиеметаллизациядифракция