<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories><subj-group><subject>Нанотехнология</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Низкотемпературный процесс формирования углеродных трубчатых и графеновых структур</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Дубков Сергей Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Дубков</surname><given-names>Сергей Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Dubkov</surname><given-names>Sergey V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sergey V. Dubkov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Гаврилов Сергей Александрович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Гаврилов</surname><given-names>Сергей Александрович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Gavrilov</surname><given-names>Sergey A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sergey A. Gavrilov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Красулин Георгий Александрович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Красулин</surname><given-names>Георгий Александрович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Aleksandrovich</surname><given-names>Krasulin Georgiy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Krasulin Georgiy Aleksandrovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Московский государственный институт электронной техники(технический университет)</aff></contrib-group><fpage>28</fpage><lpage>32</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/84-_2010/nizkotemperaturnyy_protsess_formirovaniya_uglerodnykh_trubchatykh_i_grafenovykh_struktur/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The formation of nanostructures by the method of the chemical precipitation from the gas phase using PECVD and glow-discharge plasma has been considered. The investigations were carried out in the 3000 - 700 °C temperature range. The influence of the Ni catalyst thickness and of the concentration of the carbon-containing components in vapor phase on the carbonic deposit structure has been studied. The productive growth of the homogeneous vertical nanotubes and grapheme flakes at 350 °C has been obtained. The electrophysical features of the obtained structures have been studied.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Рассмотрено формирование углеродных наноструктур методом химического осаждения из газовой фазы с использованием плазмы тлеющего разряда. Исследования проводились в диапазоне температур 300-700 °С. Изучено влияние толщины пленки Ni катализатора и концентрации углеродсодержащего компонента в газовой фазе на структуру углеродного осадка. Получен воспроизводимый рост массива однородных вертикальных нанотрубок или графеновых чешуек при низкой температуре ~350 °С. Исследованы электрофизические свойства полученных структур.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>наноструктура</kwd><kwd>углеродная нанотрубка</kwd><kwd>графен</kwd><kwd>химическое осаждение из газовой фазы</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
