<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories><subj-group><subject>Краткие сообщения</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Анализ распределения заряда в интегральных наноразмерных КМДП-структурах</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Крупкина Татьяна Юрьевна</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Крупкина</surname><given-names>Татьяна Юрьевна</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Krupkina</surname><given-names>Tatiana Yu.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Tatiana Yu. Krupkina</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Родионов Денис Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Родионов</surname><given-names>Денис Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Rodionov</surname><given-names>Denis V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Denis V. Rodionov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Московский государственный институт электронной техники(технический университет)</aff></contrib-group><fpage>89</fpage><lpage>90</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/84-_2010/analiz_raspredeleniya_zaryada_v_integralnykh_nanorazmernykh_kmdp_strukturakh/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The charge distribution in the environment of CMOS-nanostructure has been investigated using TCAD-modeling.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Проведено исследование распределения электрических зарядов в окрестностях функциональных КМДП-наноэлементов методами приборно-технологического моделирования</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>распределение заряда</kwd><kwd>наноразмерные МОП-структуры</kwd><kwd>КМОП-структуры</kwd><kwd>приборно-технологическое моделирование</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
