<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories/><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Зависимость работы выхода электрона от условий 
окисления Si(100)</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Новиков Сергей Николаевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Новиков</surname><given-names>Сергей Николаевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nikolaevich</surname><given-names>Novikov Sergey</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Novikov Sergey Nikolaevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Тимошенков Сергей Петрович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Тимошенков</surname><given-names>Сергей Петрович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Timoshenkov</surname><given-names>Sergey P.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sergey P. Timoshenkov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Сухоруков Дмитрий Олегович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Сухоруков</surname><given-names>Дмитрий Олегович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Olegovich</surname><given-names>Sukhorukov Dmitriy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sukhorukov Dmitriy Olegovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Московский государственный институт электронной техники (технический университет)</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff></contrib-group><fpage>86</fpage><lpage>87</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/83-_2010/zavisimost_raboty_vykhoda_elektrona_ot_usloviy_okisleniya_si_100/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>On the samples of SEF wafers it has been shown that the thickness of oxide films and the surface oxidation conditions demonstrate strong effect upon the electron work function (EWF), measured under atmospheric conditions by technique of the static condenser with the ionized space. The EWF changes are connected with the water sorbed vapors, the quantity of which is determined by the oxide film structure and properties. It has been found that the EWF changes depending on the oxide film type can achieve ~ 20%.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>На образцах пластин КЭФ показано, что толщина оксидных плёнок и условия окисления поверхности оказывают сильное влияние на работу выхода электрона &amp;#40;РВЭ&amp;#41;, измеренную в атмосферных условиях методом статического конденсатора с ионизированным промежутком. Установлено, что изменения РВЭ связаны с сорбированными парами воды, количество которых определяется структурой и свойствами оксидной плёнки. Изменения РВЭ в зависимости от типа оксидной пленки могут достигать ~ 20&amp;#37;.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>Монокристаллический кремний</kwd><kwd>процессы окисления кремния</kwd><kwd>работа выхода электрона</kwd><kwd>сорбция</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
