<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories><subj-group><subject>Нанотехнология</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Формирование наноразмерных сверхпроводниковых 
структур с критической температурой выше 100 К</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Григорашвили Юрий Евгеньевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Григорашвили</surname><given-names>Юрий Евгеньевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Grigorashvili</surname><given-names>Yury E.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Yury E. Grigorashvili</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Бухлин Александр Викторович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Бухлин</surname><given-names>Александр Викторович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Viktorovich</surname><given-names>Bukhlin Aleksandr</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Bukhlin Aleksandr Viktorovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Верюжский И.В. </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Верюжский</surname><given-names>И.В. </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>V</surname><given-names>Veryuzhskiy I</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Veryuzhskiy I V</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ»</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Московский государственный институт электронной техники(технический университет)</aff></contrib-group><fpage>32</fpage><lpage>36</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/82-_2010/formirovanie_nanorazmernykh_sverkhprovodnikovykh_struktur_s_kriticheskoy_temperaturoy_vyshe_100_k/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The peculiarities of technology for manufacturing the superconducting layers of 100 nm thickness based on (Bi,Pb)SrCaCuO compound with the critical temperature above 100 K have been studied. It has been shown that for manufacturing the thin layers it is critical to maintain the stoichiometric composition on the substrate surface during the process of magnetron sputtering and the superconductor crystalline structure formation at high temperature.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Рассмотрены особенности технологии изготовления слоев сверхпроводника толщиной до 100 нм состава &amp;#40;Bi,Pb&amp;#41;SrCaCuO с температурой перехода в сверхпроводящее состояние выше 100 К. Показано, что при</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>высокотемпературная сверхпроводимость</kwd><kwd>наноэлектроника</kwd><kwd>технология изготовления</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
