<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-categories/><title-group><article-title xml:lang="en">Archives</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>23</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Гаврилов Сергей Александрович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Гаврилов</surname><given-names>Сергей Александрович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Gavrilov</surname><given-names>Sergey A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sergey A. Gavrilov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Железнякова Анастасия Вячеславовна</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Железнякова</surname><given-names>Анастасия Вячеславовна</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Zheleznyakova</surname><given-names>Anastasia V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Anastasia V. Zheleznyakova</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Редичев Евгений Николаевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Редичев</surname><given-names>Евгений Николаевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nikolaevich</surname><given-names>Redichev Evgeniy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Redichev Evgeniy Nikolaevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Попенко Наталья Ивановна </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Попенко</surname><given-names>Наталья Ивановна </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Ivanovna</surname><given-names>Popenko Natalya</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Popenko Natalya Ivanovna</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Московский государственный институт электронной техники (технический университет)</aff></contrib-group><fpage>10</fpage><lpage>17</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/82-_2010/23/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Using the method of successive ionic-layer adsorption from water solutions of different composition, the InS films on the surface of TiO and porous anodic AlO have been formed. It has been found that the composition of cationic and anionic solutions-precursors affect the optical band gap of the films, which varies within the 1.97-2.65 eV range, that is explained from positions of the oxygen content change in InS. The discovered dependencies of optical properties on the pH value of anionic precursors and the anion nature in the cationic precursors well agree with the calculated conditions of chemical equilibrium in the investigated systems. The efficiency dependence of the photo electrical transformation of solar elements with the extremely thin absorbing layers on the oxygen content in the InS films, produced by successive ionic-layer adsorption, has been demonstrated.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Методом ионного наслаивания из водных растворов различного состава сформированы пленки InS на поверхности TiO и пористого анодного AlO. Установлено, что состав катионных и анионных растворов-прекурсоров влияет на оптическую ширину запрещенной зоны пленок, которая изменяется в пределах 1,97-2,65 эВ. Это объясняется с позиций изменения содержания кислорода в InS. Обнаруженные зависимости оптических свойств от значения рН-показателя анионных прекурсоров и природы аниона в катионных прекурсорах хорошо согласуются с рассчитанными условиями химического равновесия в изученных системах. Продемонстрирована зависимость эффективности фотоэлектрического преобразования солнечных элементов со сверхтонкими поглощающими слоями от содержания кислорода в пленках InS, полученных ионным наслаиванием.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>ионное наслаивание</kwd><kwd>сверхтонкие пленки</kwd><kwd>сульфид индия</kwd><kwd>фотоэлектрические преобразователи</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list/>    
  </back>
</article>
