Управление составом тонких пленок Mo-Si-N-O при реактивном магнетронном распылении

Раздел находится в стадии актуализации

При реактивном магнетронном распылении в среде химически активного газа образование химического соединения на поверхности мишени изменяет скорость ее распыления. В результате происходит существенное изменение состава формируемой пленки в узком диапазоне давлений химически активного газа. Для того чтобы технологический цикл был хорошо воспроизводимым, необходимо четко понимать происходящие при распылении процессы, а также обеспечить высокий уровень контроля химически активного газа. В работе исследован процесс формирования тонких пленок Mo-Si-N-O при реактивном магнетронном распылении, которые используются как фазосдвигающие слои фотошаблонов. Рассмотрен теоретико-экспериментальный подход для прогнозирования и управления составом многокомпонентных тонких пленок, формируемых в процессе реактивного магнетронного распыления с использованием двух отдельных мишеней в среде химически активного газа. Приведены экспериментальные результаты изменения состава тонких пленок Mo-Si-N-O в зависимости от давления азота при реактивном магнетронном распылении одновременно двух мишеней – молибдена и кремния. Проведено моделирование изменения состава пленок Mo-Si-N-O с учетом теории газовой кинетики, геометрических характеристик вакуумного оборудования магнетронного распыления и простых физико-химических предположений. Установлено, что ключевым фактором, определяющим состав тонкой пленки, является процесс нитридизации мишеней, который приводит к резкому изменению скорости их распыления.
Громов Дмитрий Геннадьевич
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1; Первый Московский государственный медицинский ун-т имени И. М. Сеченова Минздрава России, Россия, 119435, г. Москва, ул. Большая Пироговская, 2, стр. 4
Гаврилов Сергей Александрович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Лебедев Егор Александрович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Силибин Максим Викторович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Дубков Сергей Владимирович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Аникин Андрей Владимирович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Погалов Анатолий Иванович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Дронова Дарья Алексеевна
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Бутманов Данил Денисович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Ширяев Максим Евгеньевич
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Громов Владислав Дмитриевич
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Рязанов Роман Михайлович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1; НПК «Технологический центр», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1, стр. 7
Шарипов Рустем Асгатович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1
Беспалов Владимир Александрович
НИУ МИЭТ, Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru