<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2023-28-6-773-783</article-id><article-id pub-id-type="risc">OAQXKU</article-id><article-id pub-id-type="udk">537.322</article-id><article-categories><subj-group><subject>Технологические процессы и маршруты</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Research of factors impacting contact resistance in thermoelements</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Исследования факторов, влияющих на сопротивление контактов в термоэлементах</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Корчагин Егор Павлович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Корчагин</surname><given-names>Егор Павлович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Korchagin</surname><given-names>Egor P.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Egor P. Korchagin</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Нагрешников Евгений Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Нагрешников</surname><given-names>Евгений Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nagreshnikov</surname><given-names>Evgeny V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Evgeny V. Nagreshnikov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Штерн Максим Юрьевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Штерн</surname><given-names>Максим Юрьевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Shtern</surname><given-names>Maxim Yu.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Maxim Yu. Shtern</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Рогачев Максим Сергеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Рогачев</surname><given-names>Максим Сергеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Rogachev</surname><given-names>Maxim S.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Maxim S. Rogachev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Мустафоев Бехзод Рустам Угли</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Мустафоев</surname><given-names>Бехзод Рустам Угли</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Mustafoev</surname><given-names>Bekhzod R.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Bekhzod R. Mustafoev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Штерн Юрий Исаакович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Штерн</surname><given-names>Юрий Исаакович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Shtern</surname><given-names>Yuri I.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Yuri I. Shtern</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2026-03-16" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>16</day><month>03</month><year>2026</year></pub-date><volume>Том. 28 №6</volume><fpage>773</fpage><lpage>783</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/6-_2023/issledovaniya_faktorov_vliyayushchikh_na_soprotivlenie_kontaktov_v_termoelementakh/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru#</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Thermoelectric generators are used as alternate power sources, among others for waste heat conversion to electrical energy. In the design of thermoelectric generators the problem arises of effective contacts creation for commutation legs in a thermoelement and sections made of various thermoelectric materials in a multi-section thermoelement. In this work, the impact of contacts resistivity on efficiency of thermoelements is shown in the modeling process using developed technique. It was established that for effective operation of thermoelements, the contacts resistance should not exceed 10–8 Ohm∙m2. Contact systems based on Ni-P and Co-P alloys were formed by chemical deposition of metals from a solution of sodium hypophosphite on the branches of thermoelements. The surface of thermoelectric materials with roughness of 300 nm, 500 nm and 700 nm, which changes the true contact area of formed contact systems, was studied. Upon measurement results it has been established that with a surface roughness of 700 nm, thermoelement resistance decreases by 7.8 % compared to contacts formed on a surface with a roughness of 300 nm, which increases the efficiency of thermoelements.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Термоэлектрические генераторы используются в качестве альтернативных источников электроэнергии, в том числе для преобразования «бросового» тепла в электроэнергию. При конструировании термоэлектрических генераторов возникает проблема создания эффективных контактов для коммутации ветвей в термоэлементе, а также секций из различных термоэлектрических материалов в многосекционном термоэлементе. В работе в процессе моделирования с использованием разработанной методики показано влияние удельного сопротивления контактов на КПД термоэлементов. Установлено, что для эффективной работы термоэлементов удельное сопротивление контактов не должно превышать 10–8 Ом∙м2. Контактные системы на основе сплавов Ni-P, Co-P сформированы химическим осаждением металлов из раствора гипофосфита натрия на ветви термоэлементов. Исследована поверхность термоэлектрических материалов с шероховатостью 300, 500 и 700 нм, которая меняет площадь фактического контакта сформированных контактных систем. В результате измерений установлено, что минимальное сопротивление контакта наблюдается при шероховатости 700 нм. Расчеты показали, что при шероховатости поверхности 700 нм сопротивление термоэлемента снижается на 7,8 &amp;#37; по сравнению с контактами, сформированными на поверхности с шероховатостью 300 нм, что повышает эффективность термоэлементов. &lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>термоэлемент</kwd><kwd>контакты</kwd><kwd>химическое осаждение</kwd><kwd>контактное сопротивление</kwd><kwd>эффективность</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>thermoelement</kwd><kwd>contacts</kwd><kwd>chemical deposition</kwd><kwd>contact resistance</kwd><kwd>efficiency</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">работа выполнена в рамках государственного задания (Соглашение FSMR-2023-0014).</funding-statement><funding-statement xml:lang="ru">the work has been performed under state assignment (Agreement FSMR-2023-0014).</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Перспективы мировой энергетики до 2040 г. / А. А. Макаров, А. А. Галкина, Е. В. Грушевенко и др. // Мировая экономика и международные отношения. 2014. № 1. С. 3–20. EDN: RYFJVN.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Повышение эффективности электроэнергетики России / А. Голяшев, А. Курдин, А. Коломиец и др. // Энергетический бюллетень [Электронный ресурс]. М.: Аналитический центр при Правительстве РФ, 2021. № 97. URL: https://ac.gov.ru/uploads/2-Publications/energo/2021/energo_june21.pdf (дата обращения: 20.09.2023).</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Паровая турбина К-300-240 ХТГЗ / под общ. ред. Ю. Ф. Косяка. М.: Энергоиздат, 1982. 269 с.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Штерн М. Ю. Многосекционные термоэлементы, преимущества и проблемы их создания // ФТП. 2021. Т. 55. № 12. С. 1105–1114. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51690.02. – EDN: XBDDBD.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Contacts to thermoelectric materials obtained by chemical and electrochemical deposition of Ni and Co / E. Korchagin, M. Shtern, I. Petukhov et al. // J. Electron. Mater. 2022. Vol. 51. Iss. 10. P. 5744–5758. https://doi.org/10.1007/s11664-022-09860-9</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Rhoderick E. H., Williams R. H. Metal-semiconductor contacts. 2nd ed. Oxford: Clarendon Press, 1988. 252 p.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Pulsed-light surface annealing for low contact resistance interfaces between metal electrodes and bismuth telluride thermoelectric materials / G. Joshi, D. Mitchell, J. Ruedin et al. // J. Mater. Chem. C. 2019. Vol. 7. Iss. 3. P. 479–483. https://doi.org/10.1039/C8TC03147A</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Liu W., Jie Q., Kim H. S., Ren Zh. Current progress and future challenges in thermoelectric power generation: From materials to devices // Acta Materialia. 2015. Vol. 87. P. 357–376. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2014.12.042</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">The surface preparation of thermoelectric materials for deposition of thin-film contact systems / M. Yu. Shtern, I. S. Karavaev, Y. I. Shtern et al. // Semiconductors. 2019. Vol. 53. P. 1848–1852. https://doi.org/10.1134/S1063782619130177</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Zhu X., Cao L., Zhu W., Deng Y. Enhanced interfacial adhesion and thermal stability in bismuth telluride/nickel/copper multilayer films with low electrical contact resistance // Adv. Mater. Interfaces. 2018. Vol. 5. Iss. 23. Art. No. 1801279. https://doi.org/10.1002/admi.201801279</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Thin-film contact systems for thermocouples operating in a wide temperature range / M. Shtern, M. Rogachev, Yu. Shtern et al. // Journal of Alloys and Compounds. 2021. Vol. 852. Art. ID: 156889. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.156889</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Штерн М. Ю. Наноструктурированные термоэлектрические материалы для температур 200–1200 К, полученные искровым плазменным спеканием // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 6. С. 695–706. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-6-695-706. – EDN: QVLUDB.</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Корнев Р. А., Велиева Ю. В. Химическое осаждение олова // Технологии в электронной промышленности. 2008. № 6 (26). С. 33–35. EDN: MUGQXR.</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Методики исследования электрического контактного сопротивления в структуре металлическая пленка – полупроводник / М. Ю. Штерн, И. С. Караваев, М. С. Рогачев и др. // ФТП. 2022. Т. 56. № 1. C. 31–37. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.01.51808.24. – EDN: ZHECUU.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
