1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 10.24151/1561-5405-2020-25-6-563-568621.383.8Influence of External Radiation on Parameters of Electroluminescent PanelВлияние внешнего излучения на емкостные и токовые характеристики излучающих структурУрумов Владимир ВладимировичУрумовВладимир ВладимировичUrumovVladimir V.Vladimir V. UrumovСеверо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный тех-нологический университет), г.Владикавказ, Россия563567http://ivuz-e.ru/issues/6-_2020/vliyanie_vneshnego_izlucheniya_na_emkostnye_i_tokovye_kharakteristiki_izluchayushchikh_struktur/

The electroluminescent light source can be used as flexible compact flat sources of uniform illuminating. The studies on improvement of its main characteristics, especially of color intensity generation, continue. In the paper the possibility of using the changing capacitive and current characteristics of flexible light sources - electroluminescent panels to fix and determine the level of external radiation, which includes the near infrared, optical and ultraviolet ranges, has been shown. The degree of the influence of radiation on the capacitive and current characteristics of these structures based on ZnS: Cu, Mn phosphor using a barium titanate ferroelectric has been revealed. During the studies the instrumental and expert analysis as well as the non-destructive and destructive technological control have been used. It has been found that while changing the radiation intensity from 0 to 2500 kd/m the electric capacity of the structure with 600 cm area becomes 25 % increased, and the intensity increase leads to considerable proportional increase (up to 20 %) of the structure conductivity current

Электролюминесцентный источник света может использоваться в качестве гибких компактных плоских источников равномерного подсвечивания. Исследования по совершенствованию его основных характеристик, в особенности яркости цветности генерации, продолжаются. В работе рассмотрена возможность использования изменяющихся емкостных и токовых параметров гибких электролюминесцентных источников света для фиксации и определения уровня внешнего излучения, включающего ближний инфракрасный, видимый и ультрафиолетовый диапазоны. Определена степень влияния излучения на емкостные и токовые характеристики структур, изготовленных на основе ZnS:Cu, Mn-люминофора с применением сегнетоэлектрика - титаната бария. В ходе исследований проведены инструментальный и экспертный анализы, а также неразрушающий и разрушающий технологический контроль. Установлено, что при изменении яркости излучения от 0 до 2500 кд/м электроемкость структуры площадью 600 см увеличивается на 25 % (до 60 нФ), а повышение яркости приводит к существенному пропорциональному увеличению (до 20 %) тока проводимости структуры.

электролюминесцентный источник светаэлектроемкостьплоский конденсатордиэлектрическая проницаемостьцинксульфидный люминофортитанат бария Гончаров И.Н., Козырев Е.Н., Малдзигати А.И., Аскеров Р.О. Исследование и повышение важнейших ха-рактеристик гибких световых панелей // Светотехника. 2017. № 4. С.47–50.Гончаров И.Н., Козырев Е.Н., Аскеров Р.О., Малдзигати А.И. Исследование и повышение долговечности излучения электролюминесцентных панелей // Радиотехника и электроника. 2016. Т. 61. № 1. С. 89–92.Исследование импеданса электролюминесцентного конденсатора / И.Н. Гончаров, Е.Н. Козырев, В.Ф. Ивакин и др. // Устойчивое развитие горных территорий. 2014. № 4 (22). С. 115–117.Разработка и изготовление высокоэффективных электролюминесцентных панелей / Н.Е. Шубин, Е.Н. Козы-рев, А.А. Платова и др. // Вестник Воронежского государственного технологического университета. 2013. Т.9.№6-2. С. 74–77.Барышников С.В. Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром: дис. ... докт. физ-мат. наук. Благовещенск, 1990. 280 с.Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974. 280 с.Бурковский В.Л., Глотова Ю.Н., Ефремов Д.А., Романов А.В. Физические явления и эффекты в технических системах: уч. пособие. Воронеж: ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет», 2007. 242 с.Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения / А.В. Корляков, С.В. Костромин, В.В. Лучинин и др. // Патент России №2155418, МПК2000.01 H01L31/06. 2000.