<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2020-25-6-539-547</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.3.049.772.1.002</article-id><article-categories><subj-group><subject>Микро- и наносистемная техника</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Study of Sensitivity of Porous Thick-Film Elements Based on SnO towards Hydrogen Concentration in Air</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Исследование чувствительности пористых толстопленочных элементов на основе SnO к концентрации водорода в воздухе</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Амеличев Владимир Викторович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Амеличев</surname><given-names>Владимир Викторович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Viktorovich</surname><given-names>Amelichev Vladimir</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Amelichev Vladimir Viktorovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Генералов Сергей Сергеевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Генералов</surname><given-names>Сергей Сергеевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Sergeevich</surname><given-names>Generalov Sergey</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Generalov Sergey Sergeevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Николаева Анастасия Владимировна </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Николаева</surname><given-names>Анастасия Владимировна </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Vladimirovna</surname><given-names>Nikolaeva Anastasiya</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Nikolaeva Anastasiya Vladimirovna</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Поломошнов Сергей Александрович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Поломошнов</surname><given-names>Сергей Александрович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Aleksandrovich</surname><given-names>Polomoshnov Sergey</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Polomoshnov Sergey Aleksandrovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Ковалев Виталий Андреевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Ковалев</surname><given-names>Виталий Андреевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Andreevich</surname><given-names>Kovalev Vitaliy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Kovalev Vitaliy Andreevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Ковалев Алексей Михайлович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Ковалев</surname><given-names>Алексей Михайлович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Mikhaylovich</surname><given-names>Kovalev Aleksey</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Kovalev Aleksey Mikhaylovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-4"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Кривецкий Валерий Владимирович </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Кривецкий</surname><given-names>Валерий Владимирович </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Vladimirovich</surname><given-names>Krivetskiy Valeriy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Krivetskiy Valeriy Vladimirovich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">НПК «Технологический центр», г. Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-4" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff></contrib-group><fpage>539</fpage><lpage>547</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/6-_2020/issledovanie_chuvstvitelnosti_poristykh_tolstoplenochnykh_elementov_na_osnove_sno_k_kontsentratsii_v/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The semiconductor gas sensors with low power consumption have high sensitivity and fast response and their manufacturing technologies permit to reduce the dimensions of the transducer. In production of the semiconductor gas sensors the formation of metal-oxide sensitive layer is an important issue, in particular, the process of combination of the high-porous metal-oxide layer and integrated structures. In the paper, the results of the study on experimental transducers of the composition of gas with porous gas-sensitive layer have been presented. The gas-sensitive layer has been formed by the method of suspension inkjet printing of SnO based suspension with further annealing. The comparison of the sensitivity of the experimental samples of the gas composition transducers with the gas-sensitive layers, formed from two variants of initial suspension: based on pure SnO and SnO doped with Cr and Nb, has been performed. The dependence of variation of conductivity of the gas composition of the integrated transducer specimen on the H concentration in the air has been obtained. It has been found that the gas-sensitive layer based on SnO with Cr and Nb additives has higher sensitivity to changes in the detected gas concentration due to higher effective surface area and suppressed grains agglomeration.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Полупроводниковые датчики состава газа на основе оксидов металлов характеризуются высокой чувствительностью и быстродействием при низком энергопотреблении. Особенности технологии изготовления данных преобразователей позволяют уменьшать их габаритные размеры, открывая широкие возможности для интеграции в мобильные устройства. При производстве полупроводниковых датчиков газа важным этапом является формирование металлооксидного чувствительного слоя, в частности процесс совмещения высокопористого металлооксидного слоя и интегральных структур. В работе представлены результаты исследования экспериментальных образцов преобразователей состава газа с пористым газочувствительным слоем. Газочувствительный слой сформирован методом струйной микропечати суспензии на основе SnO с последующим отжигом. Проведено сравнение чувствительности экспериментальных образцов преобразователей состава газа с газочувствительными слоями, сформированными из двух вариантов исходной суспензии: на основе чистого SnOи на основе SnO, легированного Cr и Nb. Получена зависимость изменения проводимости экспериментального образца интегрального преобразователя состава газа от концентрации H в воздушной среде. Установлено, что газочувствительный слой на основе SnO с добавками Cr и Nb имеет более высокую чувствительность к изменению концентрации детектируемого газа за счет более высокой удельной площади поверхности и меньшей агломерации частиц.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>полупроводниковый датчик газа</kwd><kwd>газочувствительный слой</kwd><kwd>микроэлектромеханическая система</kwd><kwd>струйная микропечать</kwd><kwd>диоксид олова</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Review on smart gas sensing technology / S. Feng, F. Farha, Q. Li et al. // Sensors. 2019. Vol. 19 (17). 22 p. URL: http://doi.org/10.3390/s19173760 (дата обращения: 10.06.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Поломошнов С.А., Николаева А.В. Разработка конструкции газочувствительного полупроводни-кового преобразователя состава газа с использованием средств моделирования // Материалы науч.-техн. конф. «Микроэлектроника и информатика – 2017»: сб. статей. М.: МИЭТ, 2017. С. 152–157.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Преобразователь датчика взрывоопасных газов на диэлектрической мембране / С.А. Поломош-нов, Ю.А. Чаплыгин, В.В. Амеличев и др. // Нано- и микросистемная техника. 2005. № 10. С. 39–42.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Fine G.F., Cavanagh L.M., Afonja F., Binions R. Metal oxide semi-conductor gas sensors in environ-mental monitoring // Sensors. 2010. Vol. 10 (6). P. 5469–5502. URL: https://doi.org/10.3390/s100605469 (дата обращения: 23.06.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Tin oxide nanosensors for highly sensitive toxic gas detection and their 3D system integration /</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">С. Griessler, E. Brunet, T. Maier et al. // Microelectronic Engineering. 2011. Vol. 88 (8). P. 1779–1781.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">URL: https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.02.017 (дата обращения: 23.06.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Organometallic synthesis of ZnO nanoparticles for gas sensing: towards selectivity through nanoparticles morphology / A. Ryzhikov, J. Jonca et al. // Journal of Nanoparticle Research. 2015. Vol. 17 (280). 10 p.</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">URL: https:// doi.org/10.1007/s11051-015-3086-2 (дата обращения: 05.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Micromachined hotplate platform for the investigation of ink-jet printed, functionalized metal oxide na-noparticles / P. Walden, J. Kneer, S. Knobelspies et al. // Journal of Microelectromechanical Systems. 2015. Vol. 24 (5). P. 1384–1390. URL: https:// 10.1109/JMEMS.2015.2399696 (дата обращения: 05.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Амеличев В.В., Поломошнов С.А., Чаплыгин Ю.А. Разработка и проектирование интегральных термоэлементов // Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем – 2006: сб. науч. тр. / под общ. ред. А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2006. С. 416–420.</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Амеличев В.В., Годовицын И.В, Поломошнов С.А., Чаплыгин Ю.А. Оптимизация конструкции мембраны в теплодисперсионном датчике взрывоопасных газов // Изв. вузов. Электроника. 2005. № 3.</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">С. 50–57.</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Peter C., Kneer J., Wollenstein J. Inkjet printing of titanium doped chromium oxide for gas sensing application // Sensor Letters. 2011. Vol. 9(2). P. 807–811. URL: https://doi.org/10.1166/sl.2011.1619 (дата обращения: 03.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Khan S., Briand D. All-printed low-power metal oxide gas sensors on polymeric substrates // Flexible and Printed Electronics. 2019. Vol. 4 (1). URL: https://doi.org/10.1088/2058-8585/aaf848 (дата обращения: 05.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Кривецкий В.В., Румянцева М.Н., Гаськов А.М. Химическая модификация нанокристалличе-ского диоксида олова для селективных газовых сенсоров // Успехи химии. 2013. Т. 82 (10). С. 917–941.</mixed-citation></ref><ref id="B17"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Liu H., Zhang L., Li K. H. H., Tan O. K. Microhotplates for metal oxide semiconductor gas sensor ap-plications - towards the CMOS-MEMS monolithic approach // Micromachines. 2018. Vol. 9 (11). 24 p.</mixed-citation></ref><ref id="B18"><label>19.</label><mixed-citation xml:lang="ru">URL: https://doi.org/10.3390/mi9110557 (дата обращения: 10.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B19"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Abdeslam A.A., Fouad K., Khalifa A. Design and optimization of platinium heaters for gas sensor ap-plications // Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures. 2020. Vol. 15(1). P. 133–141.</mixed-citation></ref><ref id="B20"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Electrohydrodynamic inkjet printing of Pd loaded SnO2 nanofibers on a CMOS micro hotplate for low power H2 detection / H. Wu, J. Yu, R. Cao et al. // AIP Advances. 2018. Vol. 8 (5). 7 p.</mixed-citation></ref><ref id="B21"><label>22.</label><mixed-citation xml:lang="ru">URL: https://doi.org/10.1063/1.5029283 (дата обращения: 10.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B22"><label>16.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kang J.G., Park J.S., Lee H.J. Pt-doped SnO2 thin film based micro gas sensors with high selectivity to toluene and HCHO // Sensors. Actuators B Chemical. 2017. Vol. 248. P. 1011–1016.</mixed-citation></ref><ref id="B23"><label>24.</label><mixed-citation xml:lang="ru">URL: https://doi.org/10.1016/j.snb.2017.03.010 (дата обращения: 15.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B24"><label>17.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kim I., Seo K.W., Kim I. Ultra-thin filmed SnO2 gas sensor with a lowpower micromachined hotplate for selective dual gas detection of carbon monoxide and methane // Proc. of the 2017 Eleventh International Conference on Sensing Technology (ICST). Sydney, Australia, 2017. 5 p.</mixed-citation></ref><ref id="B25"><label>18.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Mask-less deposition of Au-SnO2 nanocomposites on CMOS MEMS platform for ethanol detection /</mixed-citation></ref><ref id="B26"><label>27.</label><mixed-citation xml:lang="ru">S. Santra, A.K. Sinha, A. De Luca et al. // Nanotechnology. 2016. Vol. 27(12). 9 p. URL: https://doi: 10.1088/0957-4484/27/12/125502 (дата обращения: 20.07.2020).</mixed-citation></ref><ref id="B27"><label>19.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Micro-machined gas sensor array based on metal film micro-heater / Y. Mo, Y. Okawa, M. Tajima et al. // Sensors Actuators B Chemical. 2001. Vol. 79. P. 175–181. URL: https:// doi.org/10.1016/S0925-4005(01)00871-1 (дата обращения: 20.07.2020).</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
