<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2019-24-6-565-572</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.3.049.77</article-id><article-categories><subj-group><subject>Технологические процессы и маршруты</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Thermomechanical Strength of Connections of Elements in Microelectronic Modules</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Термомеханическая прочность соединений элементов в микроэлектронных модулях</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Погалов Анатолий Иванович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Погалов</surname><given-names>Анатолий Иванович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Pogalov</surname><given-names>Anatoly I.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Anatoly I. Pogalov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Титов Андрей Юрьевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Титов</surname><given-names>Андрей Юрьевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Titov</surname><given-names>Andrey Yu.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Andrey Yu. Titov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Тимошенков Сергей Петрович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Тимошенков</surname><given-names>Сергей Петрович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Timoshenkov</surname><given-names>Sergey P.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Sergey P. Timoshenkov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ»,  г. Москва, Россия</aff></contrib-group><fpage>565</fpage><lpage>572</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/6-_2019/termomekhanicheskaya_prochnost_soedineniy_elementov_v_mikroelektronnykh_modulyakh/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The most significant factors of reliability and durability of a microelectronic module are the design and technology of brazed and adhesive bonding, the elastic strength and plastic properties of the materials of silicon crystal, solder and glue joint. The construction to be created is designed to reduce the weight and size characteristics, to increase the reliability and to ensure the efficient heat dissipation. In the work, when simulating the stress-strain state of the microconnections of microelectronic modules, it has been determined that in tin- bismuth solder the stresses in the assembly materials are distributed more evenly and their value is significantly lower than when using SnPb and SnZn solder: in silicon by 5-30%, in copper conductor by 20-90%. It has been determined that under operating conditions and tests at the elevated temperatures, the voltage in the SnBi solder is 1.5 and 2.2 times lower than in the SnPb and SnZn solder, respectively. It has been shown that the epoxy glue cold curing has good adhesion to various structural materials, low labor intensity of the process and high durability. The rational thickness of glue seam 50-200 microns and a copper conductor of 20 microns has been determined. The recommendations on the design of microconnections of microelectronic modules have been given.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Важными факторами надежности и прочности микроэлектронных модулей являются конструкция и технология паяного и клеевого соединений, упругие прочностные и пластические свойства материалов кристалла кремния, припоя и клеевого шва. Многослойные конструкции соединений элементов в микроэлектронных модулях должны обеспечивать снижение массогабаритных характеристик и эффективный теплоотвод. В работе проведено моделирование напряженно-деформированного состояния соединений элементов в микроэлектронных модулях. Показано, что в олово-висмутовом припое напряжения в материалах сборки распределяются более равномерно и их значения ниже, чем при использовании припоев ПОС61 и ПОЦ: в кремнии на 5-30 &amp;#37;, в медном проводнике на 20-90 &amp;#37;. Выяснено, что в условиях эксплуатации и испытаний при повышенных температурах напряжение в припое ПОВи ниже, чем в припоях ПОС61 и ПОЦ, в 1,5 и 2,2 раза соответственно. Установлено, что эпоксидный клей холодного отверждения имеет хорошую адгезию к различным конструктивным материалам и долговечность, а технологический процесс характеризуется низкой трудоемкостью. Определена оптимальная толщина клеевого шва &amp;#40;50-200 мкм&amp;#41; и медного проводника &amp;#40;20 мкм&amp;#41;. Даны рекомендации по проектированию микросоединений микроэлектронных модулей.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>микроэлектронный модуль</kwd><kwd>материалы микросоединения</kwd><kwd>термомеханическая прочность</kwd><kwd>напряженно-деформированное состояние</kwd><kwd>моделирование</kwd><kwd>метод конечного элемента</kwd><kwd>конструктивно-технологические рекомендации</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Симонов Б.М., Бритков О.М., Тимошенков А.С. Конструкции и технологии изготовления ком-понентов и узлов электронных средств: учеб. пособие / под ред. С.П. Тимошенкова. – М.: МИЭТ, 2018. – 232 с.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Кузнецов О.А., Погалов А.И., Сергеев В.С. Прочность элементов микроэлектронной аппаратуры. –</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">М.: Радио и связь, 1990. – 144 с.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Пицык В.С., Муравьев В.И., Саблин П.А., Евстигнеев А.И. Методика расчета площади физиче-ского контакта при изготовлении неразъемных соединений в условиях тугой посадки: сб. «Металлургия: технологии, инновации, качество» / под общ. ред. Е.В. Протопопова. – Новокузнецк: Изд. центр СибГИУ, 2015. – С. 194–200.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Справочник по пайке / под ред. И.Е.Петрунина. – М.: Машиностроение, 2003. – 480 с.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Неметаллические конструкционные материалы / Ю.В. Антипов, П.Г. Бабаевский, Ф.Я. Бородай и др. // Машиностроение: энциклопедия / под ред. А.А. Кулькова. – М.: Машиностроение, 2005. –</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Т. II-4 – 464 с.</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Копаев Б.В., Андреева Л.П. Пластическая деформация паяного шва нахлесточного соединения // Заготовительные производства в машиностроении. – 2016. – № 6. – С. 7–12.</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Андреева Л.П., Копаев Б.В. Влияние толщины материала на прочность паяного нахлесточного соединения // Заготовительные производства в машиностроении. – 2016. – № 12. – С. 15–17.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Полянский А.М., Полянский В.М. Прочность и излом паяного шва как показатели качества пая-ного соединения // Сварка и диагностика. – 2014. – № 3. – С. 57–60.</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ивашко А.И., Крымко М.М. Влияние материалов припоя на параметры силовых полупроводни-ковых приборов // Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. – 2016. – № 3 (242). –</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">С. 14–20.</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Погалов А.И., Грушевский А.М., Блинов Г.А., Титов А.Ю. Термомеханическая прочность мате-риалов паяных соединений многокристальных модулей памяти // Изв. вузов. Электроника. – 2009. –</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">№6 (80). – С. 3–9.</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Погалов А.И., Блинов Г.А., Чугунов Е.Ю. Моделирование клеевых соединений для обеспечения надежности трехмерных микроэлектронных модулей // Изв. вузов. Электроника. – 2018. – Т. 23. – №1. –С. 23–31.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
