1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 54.058Allocation of Gallium from a Multicomponent Eutectic Disposal Recycle of Technological WastesВыделение галлия из многокомпонентной эвтектики при утилизации технологических отходовКольцов Владимир Борисович КольцовВладимир Борисович BorisovichKoltsov VladimirKoltsov Vladimir BorisovichЛарионов Николай Михайлович ЛарионовНиколай Михайлович MikhaylovichLarionov NikolayLarionov Nikolay MikhaylovichСлесарев Сергей Андреевич СлесаревСергей Андреевич AndreevichSlesarev SergeySlesarev Sergey AndreevichБаркинхоева Танзила Аба-Букаровна БаркинхоеваТанзила Аба-Букаровна AbaBarkinkhoeva TanzilaBarkinkhoeva Tanzila AbaНациональный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, РоссияНациональный исследовательский университет «МИЭТ»537542http://ivuz-e.ru/issues/6-_2016/vydelenie_galliya_iz_mnogokomponentnoy_evtektiki_pri_utilizatsii_tekhnologicheskikh_otkhodov/http://ivuz-e.ru/download/6_2016_1502.pdf

The physical and chemical properties of gallium and its role in modern microelectronics have been described. The up-to-date methods of purifying gallium from impurities and recycling of the waste treatment have been presented. A scheme for processing various wastes of the gallium refining process has been proposed. The experiment on gallium separation from the multicomponent eutectics has been presented.

Рассмотрены современные методы очистки галлия от примесей и утилизации отходов очистки. Предложена схема переработки различных отходов процесса очистки галлия. Проведен эксперимент по выделению галлия из многокомпонентной эвтектики.

мониторингтехнологиягаллийочисткаутилизацияотходымикроэлектроника Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. Технология интегральной электроники: учеб.пособие. – Минск: Интегралполиграф, 2009.  570 с.Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников.  М.: Мир, 2002.  376 с.Шека И.А., Чаус И.С., Митюрева Т.Г. Галлий.  Киев: Гостехиздат УССР, 1963.  296 с.Химия и технология редких и рассеянных элементов / Под ред. Большакова К.А. – М.: Высшая школа, 1976.  360 с.Уткин Н.И. Металлургия цветных металлов.  М.: Металлургия,1985.  432 с.Коробов Г.А., Бредихин В.Н., Чернобаев В.М. Сбор и обработка вторичного сырья цветных металлов.  М.: Металлургия, 1992.  288 с.Кристаллы семейства лангасита (La3Ga5SiOi14 – LGS и La3Ga5,5Ta0,5OH  LGT).  URL: http://www.dissercat.com/content/langasit-i-langatat-sostav-stroenie-svoistva#ixzz3yBYJTx8G (дата обращения: 10.02.2016).Козлов С.А. Получение высокочистого галлия из отходов производства полупроводниковых материалов: дис. ... канд. хим. наук.  М., 2004.  116 с.Кольцов В.Б., Кольцова О.В. Процессы и аппараты защиты окружающей среды / Под ред. В.И. Каракеяна.  М.: Юрайт, 2014.  588 с.