1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 004.942: 621.3.049.772.1/.774.2Краткие сообщенияIncreasing Breakdown Voltage of N-MOS Transistors for Radiation-Resistant CMOS LSIПовышение пробивного напряжения -МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИССоловьев Андрей Владимирович СоловьевАндрей Владимирович VladimirovichSolovev AndreySolovev Andrey VladimirovichКрупкина Татьяна ЮрьевнаКрупкинаТатьяна ЮрьевнаKrupkinaTatiana Yu.Tatiana Yu. KrupkinaРоманов Александр Аркадьевич РомановАлександр Аркадьевич ArkadevichRomanov AleksandrRomanov Aleksandr ArkadevichНациональный исследовательский университет «МИЭТ»; ОАО «Ангстрем» (г. Москва)Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, РоссияОАО «Ангстрем» (г. Москва)583585http://ivuz-e.ru/issues/6-_2016/povyshenie_probivnogo_napryazheniya_mop_tranzistorov_dlya_radiatsionno_stoykikh_kns_kmop_bis/http://ivuz-e.ru/download/6_2016_1508.pdf

To increase the functioning operating range of CMOS LSI, designed according to the radiation-resistant technology SOS, an increase of the breakdown voltages pf the N-channel MOS transistors is required. The results of the construction modernization and that one of the technological route of formation of N-MOS transistors with an improved breakdown voltage, obtained by means of the device-technological modeling TCAD Synopsys, have been presented.

Для повышения рабочего диапазона функционирования КМОП БИС, выполненных по радиационно стойкой технологии КНС, требуется повышение пробивных напряжений n -канальных МОП-транзисторов. Представлены результаты модернизации конструкции и технологического маршрута формирования n -МОП-транзисторов с улучшенным пробивным напряжением, полученные средствами приборно-технологического моделирования TCAD Synopsys.

кремний на изоляторекремний на сапфиреLDD-областипробивное напряжениеприборно-технологическое моделированиеTCAD Synopsys Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. – 2-е изд., испр. – М.: Техносфера, 2011. – 800 с.Соловьев А.В. Модернизация технологического маршрута производства КМОП КНС БИС с целью повышения пробивного напряжения транзисторов // Потенциал современной науки. – 2015. – №9. – С. 20–21.Афонин Н.Н., Александров О.В. Влияние окислительных сред на диффузионно-сегрегационное перераспределение бора в системе термический диоксид кремния – кремний // ЖТФ. – 2003. – Т. 73. – № 5. – С. 57–63.