Рассмотрены основные варианты моделирования транзисторов с плавающим затвором. Представлен новый метод моделирования транзистора с плавающим затвором, учитывающий дискретный спектр состояния заряда на плавающем затворе. Метод позволяет сократить время моделирования, снизить требования к ресурсам (библиотекам и средствам проектирования) и обеспечивает компромиссную точность расчета.
1. Brewer J.E., Gill M. Noncolatile memory technologies witch emphasis on flash // IEEE Press Series on Microelectronic Systems. – 2008. – P. 757–769.
2. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники. – М.: Бином. Лаборатория знаний, 2011. – С. 131–142.
3. Hasnat K., Jallepalli S., Hareland A. A pseudo-lucky electron model for simulation of electron gate current in submicron NMOSFET // IEEE Trans. on Electron Devices. – 1996. – Vol. 43. – N. 8. – P. 1264–1273.
4. Fiegna C., Venturi F., Melanotte M. Simple and efficient modeling of EPROM writing // IEEE Trans. on Electron Devices. – 1991. – Vol. 38. – N. 3. – P. 603–610.
5. Sanchez-Sinencio E. Floating gate techniques and applications // Analog and Mixed-Signal Center. – 2013. – P. 64.
6. Игнатьев С.М., Карташёв С.С. Схема хранения и считывания информации энергонезависимого запоминающего устройства // Патент России № 132601. – 2013.