1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.38-022.532Research of Modes of Ion Beam Included Deposition of Platinum Nanostructures Using the Method of Focused Ion BeamsИсследование режимов ионно-стимулированного осаждения наноразмерных структур платины методом фокусированных ионных пучковЛисицын Сергей Андреевич ЛисицынСергей Андреевич AndreevichLisitsyn SergeyLisitsyn Sergey AndreevichКоломийцев Алексей Сергеевич КоломийцевАлексей Сергеевич SergeevichKolomiytsev AlekseyKolomiytsev Aleksey SergeevichИльин Олег Игоревич ИльинОлег Игоревич IgorevichIlin OlegIlin Oleg IgorevichИльина Марина Владимировна ИльинаМарина Владимировна VladimirovnaIlina MarinaIlina Marina VladimirovnaКоноплёв Борис Георгиевич КоноплёвБорис Георгиевич GeorgievichKonoplyev BorisKonoplyev Boris GeorgievichБыков Александр Викторович БыковАлександр Викторович ViktorovichBykov AleksandrBykov Aleksandr ViktorovichАгеев Олег Алексеевич АгеевОлег Алексеевич AlekseevichAgeev OlegAgeev Oleg AlekseevichИнститут нанотехнологий, электроники и приборостроения Южного федерального университета (г. Таганрог)Технологический институт Южного федерального университета в г. ТаганрогеЮжный федеральный университет, г. Таганрог, Россия529536http://ivuz-e.ru/issues/6-_2016/issledovanie_rezhimov_ionno_stimulirovannogo_osazhdeniya_nanorazmernykh_struktur_platiny_metodom_fok/http://ivuz-e.ru/download/6_2016_1501.pdf

The results of experimental studies of modes of ion beam included deposition of Pt with thickness from (0.48 ± 0.1) to (17.38 ± 0.1) nm by focused ion beams have been represented. The experimentally determined rate of ion-induced deposition of Pt, which, depending on process parameters of the focused ion beam is changed from (0.28 ± 0.02) to (6.7 ± 0.5) nm/s. It has been found that the deviation of the lateral dimensions of Pt nanostructures from the designed pattern decreases from (29.3 ± 0.07) % to (2.4 ± 0.2) % for the various modes of deposition time. It has been shown that at the thicknesses of Pt nanostructures over 3 nm their resistivity is (23.4 ± 1.8) Om∙cm and weakly depends on the thickness of the structure. The results can be used to develop processes of formation of nanostructures for microelectronics, nano- and microsystems technology on the basis of the focused ion beams method.

Представлены результаты экспериментальных исследований режимов ионно-стимулированного осаждения структур Pt толщиной от (0,48 ± 0,1) до (24,38 ± 0,1) нм методом фокусированных ионных пучков. Экспериментально определена скорость ионно-стимулированного осаждения Pt, которая в зависимости от режимов изменяется от (0,28 ± 0,02) до (6,7 ± 0,5) нм/с. Отклонение латеральных размеров структур Pt от заданных шаблоном уменьшается от (29,3 ± 0,07) % до (2,4 ± 0,2) % в зависимости от времени осаждения. При толщинах наноразмерных структур Pt более 3 нм их удельное сопротивление составляет (23,4 ± 1,8) Ом∙см и слабо зависит от толщины. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования структур микроэлектронной сенсорики, наноэлектроники, нано- и микросистемной техники.

нанотехнологияфокусированные ионные пучкиионно-стимулированное осаждениеплатинаатомно-силовая микроскопия Giannuzzi L.A., Stevie F.A. Introdution to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques and practice.  N.Y.: Springer, 2004.  357 p.Silicon-based nanostructures formed by plasma etching through a mask formed by a focused beam of a Ga+ ions / I.I. Bobrinetskii, A.V. Volkova, A.A. Zaitsev et al. // Russian Microelectronics.  2015.  Vol.7.  Iss. 44.  P. 482486.Development of new metamaterials for advanced element base of micro- and nanoelectronics, and microsystem devices. Chapter In: Advanced Materials – Manufacturing, Physics, Mechanics and Applications / O.A. Ageev, S.V. Balakirev, Al.V. Bykov et al. / Eds. Parinov, Chang, Topolov.  Springer International Publishing Switzerland, 2016. – P. 563580.Лучинин В.В. Нанотехнологии: физика, процессы, диагностика, приборы.  М.: Физматлит, 2006.  552 с.Formation of a memristor matrix based on titanium oxide and investigation by probe-nanotechnology methods / V.I. Avilov, O.A. Ageev , A.S. Kolomiitsev et al. // Semiconductors.  2014.  Vol. 48.  N 13.  P. 17571762.Utke I., Hoffmann P., Melngailis J. Gas-assisted focused electron beam and ion beam processing and fabrication / Journal of Vacuum Science & Technology B.  2008.  Vol. 26.  P. 11971276.Fu Y., Bryan N., Shing O., Hung N. Influence of the redeposition effect for focused ion beam 3D micromachining in silicon // International Journal of Advance Manufacturing Technology.  2000.  №16.  P. 877–880.Konoplev B.G., Ageev O.A., Kolomiitsev A.S. Formation of Nanosize Structures on a Silicon Substrate by Method of Focused Ion Beams // Semiconductors.  2011.  Vol. 45.  No 13.  P. 17091712.Fabrication of advanced probes for atomic force microscopy using focused ion beam / O.A. Ageev, A.S. Kolomiytsev, A.V. Bykov et al. // Microelectronics Reliability. – 2015. – №55. – Р. 2131–2134.Формирование наноразмерных элементов затворов СВЧ-транзисторов методом ионно-лучевой литографии / К.К. Лаврентьев, В.К. Неволин, Р.Ю. Розанов и др. // Изв. вузов. Электроника.  Т. 20.  №6.  2015.  С. 591597.Analysis of modes nanoscale profiling during ion-stimulated deposition of W and Pt using the method of focused ion beams / O.A. Ageev, A.V. Vnukova, A.L. Gromov et al. // Nanotechnologies in Russia.  2014.  Vol. 9.  Iss. 34. P. 145150.Studying the resolving power of nanosized profiling using focused ion beam / O.A. Ageev, A.M. Alekseev, A.V. Vnukova et al. // Nanotechnologies in Russia.  2014.  Vol. 9.  Iss. 12.  P. 2630.Bochenkov V.E., Sergeev G.B. Sensitivity, Selectivity, and Stability of Gas–Sensitive Metal–Oxide Nanostructures // Metal Oxide Nanostructures and Their application.  2010. – Vol. 3 – P. 31–52.Kalinin S., Gruverman A. Electrical and electromechanical phenomena at the nanoscale // Handbook of Nanotechnology. – Springer, 2007.  P. 31–49E.S. Sadki, S. Ooi, K. Hirata. Focused-ion-beam-induced deposition of superconducting nanowires // Appl. Phys. Lett.  2004.  Vol. 85.  N 25. – P. 6206–6208.