1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 621.3.049.776Микроэлектронные приборы и системыMore Precise Model of Low Impedance Film Resistors with Comb StructureУточненная модель низкоомных пленочных резисторов с гребенчатой структуройСадков Виктор ДмитриевичСадковВиктор ДмитриевичSadkovViktor D.Viktor D. SadkovЛопаткин Александр Викторович ЛопаткинАлександр Викторович ViktorovichLopatkin AleksandrLopatkin Aleksandr ViktorovichНижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, г. Нижний Новгород, РоссияИнститут радиоэлектроники и информационных технологий Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева607615http://ivuz-e.ru/issues/6-_2015/utochnennaya_model_nizkoomnykh_plenochnykh_rezistorov_s_grebenchatoy_strukturoy/http://ivuz-e.ru/download/6_2015_1828.pdf

Using the methods of finite elements and conformal mappings the analytical models of the low resistance film resistors of the main types of comb (interdigital) structures with arbitrary relations of the specific resistances of resistive and conductive films have been built. In the resultant resistance the resistances of comb-like structure electrodes and connecting electrodes as well as additional resistance associated with the transmission of current from the conductive film to the resistive one and vice versa have been taken into account. The conditions, under which the boundary between the films can be considered as equipotential have been revealed. For this case the calculation has been performed by conformal mappings. The circuit of substitution of the low-impedance comb resistors, used as the current sensors in schemes of stabilization, control, thermal and current protection, has been constructed.

Методами конечных элементов и конформных отображений построены аналитические модели низкоомных и ультранизкоомных пленочных резисторов основных типов гребенчатых (встречно-штыревых) структур при произвольных отношениях удельных поверхностных сопротивлений резистивной и проводящей пленок. В результирующем сопротивлении учтены сопротивления электродов гребенчатой структуры и объединяющих электродов, а также дополнительное сопротивление, связанное с переходом тока из проводящей пленки в резистивную и наоборот. Выявлены условия, при которых граница раздела пленок может считаться эквипотенциальной. Построена схема замещения низкоомных гребенчатых резисторов, используемых в качестве датчиков тока в схемах стабилизации, контроля, тепловой и токовой защиты.

сопротивление низкоомного пленочного резистора с гребенчатой структуройконтактное сопротивлениесхема замещения пленочного резистора Седаков А.Ю., Смолин В.К. Тонкопленочные элементы в микроэлектронике: осно-вы проектирования и изготовления.  М.: Радиотехника, 2011. – 168 с.Лугин А.Н. Конструкторско-технологические основы проектирования тонкопле-ночных прецизионных резисторов. – Пенза: ИИЦ ПензГУ, 2008. – 288 с.Колпаков А. Измерение тока в мощных импульсных преобразовательных устрой-ствах// Электронные компоненты. – 2004. – № 2. – С. 77–83.Гельмутдинов А.Х., Ермолаев Ю.П. Модели оценки сопротивления пленочных контактов и резисторов с распределенными параметрами. – Казань: ЗАО «Новое знание», 2005. – 76 с.Спирин В.Г. Сопротивление электродов тонкопленочного резистора // Нано- и микросистемная техника. – 2008.– № 7. – С.19–24.Лугин А.Н. Наноразмерные эффекты в тонкопленочном контакте // Петербургский журнал электроники. – 2012.– № 1. – С. 41–45.Садков В.Д., Еремеев Ю.В., Якимов Д.Ю. Методика расчета сопротивления прецизионного пленочного гантельного резистора // Изв. вузов. Электроника. – 2011. – № 3. – С. 44–49.Садков В.Д., Еремеев Ю.В., Старанчук П.Н. Моделирование многослойного контакта прецизионного чип-резистора // Изв. вузов. Электроника. – 2014. – № 6 (110). – С. 14–21.Ямпурин Н.П., Широков Л.В., Садков В.Д. Современные вопросы радиоэлектро-ники с позиций теории аналитических функций. – Арзамас: АГПИ, 2014. – 209 с.Крылов В.И. Приближенное вычисление интегралов. – М.: Наука, 1967. – 500 с.