<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2026-31-5-536-543</article-id><article-id pub-id-type="risc">AQGVQJ</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.319.5</article-id><article-categories><subj-group><subject>Электронное машиностроение</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Study of the electrostatic chuck parameters dependencies</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Исследование зависимостей параметров электростатического крепежного устройства</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Трактирщиков Виктор Сергеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Трактирщиков</surname><given-names>Виктор Сергеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Traktirshchikov</surname><given-names>Viktor S.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Viktor S. Traktirshchikov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Калугин Виктор Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Калугин</surname><given-names>Виктор Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Kalugin</surname><given-names>Viktor V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Viktor V. Kalugin</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Ширяев Максим Евгеньевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Ширяев</surname><given-names>Максим Евгеньевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Shiryaev</surname><given-names>Maksim E.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Maksim E. Shiryaev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Черкунов Виктор Игоревич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Черкунов</surname><given-names>Виктор Игоревич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Cherkunov</surname><given-names>Viktor I.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Viktor I. Cherkunov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">АО «НПП «ЭСТО», г. Москва, Россия; Национальный исследовательский университет «МИЭТ» г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет «МИЭТ» г. Москва, Россия</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">ООО «Эстика», г. Москва, Россия</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2026-10-07" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>07</day><month>10</month><year>2026</year></pub-date><volume>Том. 31 №5</volume><fpage>536</fpage><lpage>543</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/5_2026/issledovanie_zavisimostey_parametrov_elektrostaticheskogo_krepezhnogo_ustroystva/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Expanding the possibilities of an electrostatic chuck automated control within the technological process of substrate processing is an urgent task. Despite the successes achieved in the development, production and application of electrostatic chuck in recent years, the current results have had significant limitations. The authors presented a control improvement method of the substrate processing temperature regime by determining the device characteristics: the minimum allowable voltage of the electrostatic chuck dependence on the pressure of helium under the substrate and the helium flow rate from under the substrate dependence on the electrostatic chuck voltage. The dependencies were obtained by the parameters direct measurement method with the measurement setup. The study results have allowed selecting the optimal operating voltage of the electrostatic chuck to ensure a reliable substrate grip, as well as to implement an indirect assessment of the substrate clamping quality in automatic mode.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Расширение возможностей автоматического управления электростатическим крепежным устройством в рамках технологического процесса обработки подложки – актуальная задача. Несмотря на достигнутые успехи в разработке, производстве и применении электростатического крепежного устройства полученные результаты имеют значительные ограничения. В работе представлен способ улучшения контроля температурного режима обработки подложки за счет определения таких характеристик устройства, как зависимость минимально допустимого напряжения электростатического крепежного устройства от давления гелия под подложкой и зависимость расхода гелия из-под подложки от напряжения электростатического крепежного устройства. Зависимости сняты методом прямого измерения параметров измерительными средствами установки. Полученные результаты позволяют обеспечить подбор оптимального&lt;br /&gt;
напряжения работы электростатического крепежного устройства для надежного захвата подложки, а также реализовать косвенную оценку качества прижима подложки в автоматическом режиме.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>электростатический прижим</kwd><kwd>электростатическое крепежное устройство</kwd><kwd>автоматизированное управление</kwd><kwd>подложкодержатель</kwd><kwd>технологический стол</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>electrostatic clamping</kwd><kwd>electrostatic chuck</kwd><kwd>ESC</kwd><kwd>automated control</kwd><kwd>substrate holder</kwd><kwd>processing table</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Electrostatic chucks market size &amp; opportunities report, 2035. Business Research Insights. Available at: https://www.businessresearchinsights.com/market-reports/electrostatic-chucks-market-111394 (accessed: 02.05.2025).</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Electrostatic chucks market size and forecast. Verified Market Research. Available at: https://www.verifiedmarketresearch.com/product/electrostatic-chucks-market/ (accessed: 02.05.2025).</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Liu Y., Rybczynski J., Donnell S., Angeloni S., Venkatraman C. Electrostatic chuck technology – tailored wafer contact surface design and application: [Research poster at 2018 22nd International Conference on Ion Implantation Technology (Würzburg, Germany, Sep. 16–21, 2018)]. Entegris. Available at: https://www.entegris.com/en/home/resources/reference-materials/posters/electrostatic-chuck-technology-tailored-wafer-contact-surface-10105.html (accessed: 02.05.2025).</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Калугин В. В., Трактирщиков В. С., Ширяев М. Е., Короткевич И. А. Анализ электростатических крепежных устройств для полупроводниковой промышленности. In: Интеллектуальные системы и микросистемная техника: сб. трудов Науч.-практ. конф. (Кабардино-Балкария, пос. Эльбрус, 30 янв. – 04 февр. 2025 г.). М.: МИЭТ; 2025, с. 152–160. EDN: WRUZAW.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kalugin V. V., Traktirshchikov V. S., Shiryaev M. E., Korotkevich I. A. Analysis of electrostatic chucks for the semiconductor industry. In: Intellektualnyye sistemy i mikrosistemnaya tekhnika = Intelligent systems and microsystem engineering: proc. of the Res.-to-pract. conf. (Kabardino-Balkariya, Elbrus vge., Jan. 30 – Feb. 04, 2025). Moscow: MIET; 2025, pp. 152–160. (In Russ.).</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Wardly G. A. Electrostatic wafer chuck for electron beam microfabrication. Rev. Sci. Instrum. 1973;44(10):1506–1509. https://doi.org/10.1063/1.1685985</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kim J.-H., Koo Y., Song W., Hong S. J. On-wafer temperature monitoring sensor for condition monitoring of repaired electrostatic chuck. Electronics. 2022;11(6):880. https://doi.org/10.3390/electronics11060880</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Nakashima Y., Hyuga H., Hirao K., Zhou Y., Fukushima M., Murayama N. Thickness dependence of dielectric breakdown strength for silicon nitride substrate. J. Ceram. Soc. Jpn. 2021;129(12):761–763. https://doi.org/10.2109/jcersj2.21141</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Трактирщиков В. С., Ширяев М. Е., Корячко В. В. Разработка электростатического прижима для оборудования микроэлектроники. Наноиндустрия. 2025;18(S11-2(135)):627–630. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.11s.627.630. EDN: WXSEBM.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Traktirshchikov V. S., Shiryaev M. E., Koriachko V. V. Development of an electrostatic chuck for microelectronic equipment. Nanoindustriya = Nanoindustry. 2025;18(S11-2(135)):627–630. (In Russ.). https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.11s.627.630</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Asano K., Hatakeyama F., Yatsuzuka K. Fundamental study of an electrostatic chuck for silicon wafer handling. IEEE Trans. Ind. Appl. 2002;38(3):840–845. https://doi.org/10.1109/TIA.2002.1003438</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Kalkowski G., Risse S., Müller S., Harnisch G. Ultraplanare Elektrostatische Chucks für Next-Generation-Lithographie. In: Fraunhofer IOF Jahresbericht = Annual Report 2005. Jena: Fraunhofer Institute for Applied Optics and Precision Engineering; 2005, pp. 30–34. (In German).</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Sun Y., Cheng J., Lu Y., Hou Y., Ji L. Design space of electrostatic chuck in etching chamber. J. Semicond. 2015;36(8):084004. https://doi.org/10.1088/1674-4926/36/8/084004</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Youn J. H., Hong S. J. Enhanced temperature uniformity of electrostatic chuck: Ceramic surface contact ratio and backside gas pressure. Jpn. J. Appl. Phys. 2024;63(4):04SP72. https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad394e</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Установка плазменной очистки ЭСТОХОРС 200А ICP. АО «НПП «ЭСТО». Available at: https://nppesto.ru/products/estohors-200a-icp/ (accessed: 01.06.2026).</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>17.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Plasma cleaning machine ESTOHORS 200А ICP. JSC “SPE “ESTE”. (In Russ.). Available at: https://nppesto.ru/ustanovki/hors200A/ (accessed: 01.06.2026).</mixed-citation></ref><ref id="B17"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Wang K., Lu Y., Cheng J., Ji L. Prediction of residual clamping force for Coulomb type and Johnsen–Rahbek type of bipolar electrostatic chucks. J. Mech. Eng. Sci. 2019;233(1):302–312. https://doi.org/10.1177/0954406218756938</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
