<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2023-28-5-629-641</article-id><article-id pub-id-type="risc">QCJQXO</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.375</article-id><article-categories><subj-group><subject>Схемотехника и проектирование</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Input stages of programmable  high-speed operational amplifiers  based on the master slice array MH2XA031</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Входные каскады программируемых  быстродействующих операционных усилителей  на основе базового матричного кристалла MH2XA031</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Дворников Олег Владимирович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Дворников</surname><given-names>Олег Владимирович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Dvornikov</surname><given-names>Oleg V.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Oleg V. Dvornikov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Чеховский Владимир Алексеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Чеховский</surname><given-names>Владимир Алексеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Tchekhovski</surname><given-names>Vladimir A.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vladimir A. Tchekhovski</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Прокопенко Николай Николаевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Прокопенко</surname><given-names>Николай Николаевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Prokopenko</surname><given-names>Nikolay N.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Nikolay N. Prokopenko</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Чумаков Владислав Евгеньевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Чумаков</surname><given-names>Владислав Евгеньевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Chumakov</surname><given-names>Vladislav E.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Vladislav E. Chumakov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">ОАО «Минский научно-исследовательский приборостроительный институт», Беларусь, 220113, г. Минск, ул. Якуба Коласа, 73</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Белорусский государственный университет, Беларусь, 220045, г. Минск, ул. Академика Курчатова, 7</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Донской государственный технический университет,  Россия, 344000, г. Ростов-на-Дону, пл. Гагарина, 1</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2026-03-25" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>25</day><month>03</month><year>2026</year></pub-date><volume>Том. 28 №5</volume><fpage>629</fpage><lpage>641</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/5-_2023/vkhodnye_kaskady_programmiruemykh_bystrodeystvuyushchikh_operatsionnykh_usiliteley_na_osnove_bazovog/</self-uri><self-uri content-type="pdf">http://ivuz-e.ru#</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>On the master slice array МН2ХА031 containing complementary bipolar transistors an operational amplifier OAmp9 has been developed. It allows programming a number of parameters, such as consumption current, maximum output current, bandwidth, and slew rate of output voltage. In this work, the potential of further increasing the maximum slew rate of the OAmp9 output voltage is described. For its circuit, as well as for the modified OAmp9.1 circuit, the application of differentiating correction networks that boost the processes of stray capacitors recharging in the base circuit of input stage output transistors, is considered. Thus due to increase of reverse voltage on insulating p–n junctions of these output transistors their parasitic collector capacitance was decreased.  A schematic technique to increase the operational amplifier response time based on two complementary “folded” cascodes, which eliminates the dynamic overload of the intermediate stage and accelerates the transient processes in a large signal mode in a modified OAmp9.2 circuit, is shown. The electrical diagrams and results of comparative modeling of two modified input stages in the OAmp9.1 and OAmp9.2 structure have been presented. OAmp9.1 and OAmp9.2 are characterized by, respectively, a zero-offset voltage of 0.08 and 0.11 mV, a voltage gain of 1.4 · 104 and 1.4 · 103, a voltage gain on bandwidth of 655 and 298 MHz, and an output voltage slew rate of 689 and 868 V/µs.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Операционный усилитель OAmp9, разработанный на базовом матричном кристалле МН2ХА031, содержащем комплементарные биполярные транзисторы, позволяет программировать такие параметры, как ток потребления, максимальный выходной ток, полоса пропускания, скорость нарастания выходного напряжения. В работе описаны возможности дальнейшего увеличения максимальной скорости нарастания выходного напряжения операционного усилителя OAmp9. Рассмотрено, как и для модифицированной схемы операционного усилителя OAmp9.1, применение дифференцирующих цепей коррекции, которые форсируют процессы перезаряда паразитных емкостей в цепи базы выходных транзисторов входного каскада. При этом за счет увеличения обратного напряжения на изолирующих p–n-переходах этих выходных транзисторов уменьшена их паразитная коллекторная емкость. Показан схемотехнический прием повышения быстродействия операционного усилителя на основе двух комплементарных «перегнутых» каскодов, который исключает динамическую перегрузку промежуточного каскада и ускоряет переходные процессы в режиме большого сигнала в модифицированной схеме операционного усилителя OAmp9.2. Приведены электрические схемы и результаты сравнительного моделирования двух модифицированных входных каскадов в структуре операционных усилителей OAmp9.1 и OAmp9.2, которые характеризуются соответственно напряжением смещения нуля 0,08 и 0,11 мВ, коэффициентом усиления напряжения 1,4·104 и 1,4·103, произведением&amp;nbsp;&amp;nbsp;коэффициента усиления напряжения на ширину полосы пропускания&amp;nbsp;&amp;nbsp;655 и 298 МГц, скоростью нарастания выходного напряжения 689&amp;nbsp;&amp;nbsp;и 868 В/мкс.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>быстродействующий операционный усилитель</kwd><kwd>максимальная скорость нарастания выходного напряжения</kwd><kwd>базовый матричный кристалл</kwd><kwd>комплементарные биполярные транзисторы</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>high-speed operational amplifier</kwd><kwd>maximum output voltage slew rate</kwd><kwd>master slice array</kwd><kwd>complementary bipolar transistors</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (проект № 22-29-00637).</funding-statement><funding-statement xml:lang="ru">the work has been supported by the Russian Science Foundation (project  no. 22-29-00637).</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Ivanov V. V., Filanovsky I. M. Operational amplifier speed and accuracy improvement: Analog circuit design with structural methodology. New York: Springer, 2004. XIV, 194 p. https://doi.org/10.1007/b105872</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Прокопенко Н. Н., Будяков А. С. Архитектура и схемотехника быстродействующих операционных усилителей: монография. Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2006. 230 с.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Close J. High speed op amps: Performance, process and topologies // 2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM). Portland, OR: IEEE, 2012. P. 1–8. https://doi.org/10.1109/ BCTM.2012.6352648</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bowers D. F., Wurcer S. A. Recent developments in bipolar operational amplifiers // Proceedings of the 1999 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No. 99CH37024). Minneapolis, MN: IEEE, 1999. P. 38–45. https://doi.org/10.1109/BIPOL.1999.803521</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Bales J. A low-power, high-speed, current-feedback op-amp with a novel Class AB high current output stage // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. Vol. 32. No. 9. P. 1470–1474. https://doi.org/10.1109/ 4.628768</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Celma S., Perez F., Martinez P. A. Compensating very high-speed current feedback op-amps // IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference Sensing, Processing, Networking (IMTC Proceedings). Ottawa, ON: IEEE, 1997. Vol. 2. P. 1293–1298. https://doi.org/10.1109/IMTC.1997.612408</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Sen S., Leung B. A class-AB high-speed low-power operational amplifier in BiCMOS technology // IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. Vol. 31. No. 9. P. 1325–1330. https://doi.org/10.1109/4.535418</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Xie L., Guo S., Li Z., Jin X. A high speed rail-to-rail operational amplifier with constant-gm for LVDS receiver // 2020 IEEE 20th International Conference on Communication Technology (ICCT). Nanning: IEEE, 2020. P. 1044–1048. https://doi.org/10.1109/ICCT50939.2020.9295857</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Быстродействующие широкополосные операционные усилители на базовом матричном кристалле / О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко и др. // Изв. вузов. Электроника. 2023. Т. 28. № 1. С. 96–111. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2023-28-1-96-111. – EDN: QUUOLI.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Микромощные операционные усилители повышенного быстродействия // Операционные усилители и компараторы: справочник / подгот. В. Д. Авербух и др. М.: Додэка-XXI, 2001. С. 127.</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Prokopenko N. N., Dvornikov O. V., Zhuk A. A. High-speed operational amplifier with differentiating transient correction circuits // 2022 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Tomsk: IEEE, 2022. P. 1–4. https://doi.org/10.1109/SIBCON56144.2022.10002969</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
