1561-5405 10.24151/1561-5405 Proceedings of Universities. Electronics Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics" Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника» 1561-5405 2587-9960 National Research University of Electronic Technology Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" 10.24151/1561-5405-2023-28-5-569-599ZUKRLA621.389Элементы интегральной электроникиVacuum nanoelectronics based on semiconductor field emission structures: current state and development prospects. ReviewВакуумная наноэлектроника на основе полупроводниковых автоэмиссионных структур: текущее состояние и перспективы развития. ОбзорДюжев Николай АлексеевичДюжевНиколай АлексеевичDjuzhevNikolay A.Nikolay A. DjuzhevЕвсиков Илья ДмитриевичЕвсиковИлья ДмитриевичEvsikovIlya D.Ilya D. EvsikovНациональный исследовательский университет «МИЭТ», Россия, 124527, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 125032026Том. 28 №5569599http://ivuz-e.ru/issues/5-_2023/vakuumnaya_nanoelektronika_na_osnove_poluprovodnikovykh_avtoemissionnykh_struktur_tekushchee_sostoya/http://ivuz-e.ru#

The advances in semiconductor integrated technology and transition to nanometer resolution in lithography process have given rise to semiconductor field emission structures development. However, nowadays the suite of field emission devices technology has got neither large-scale manufacturing application nor commercialization due to their short useful life and insufficient operational stability. In this work, a comparative analysis of the significant results obtained to date in the development of semiconductor field emission devices with a nanoscale conduction channel is carried out to evaluate the current state and prospects for further development of vacuum nanoelectronics. The technological and operational problems of developing field emission triode structures using various semiconductor materials have been analyzed. The progress achieved in the field of integration of nanoscale field emission devices with standard CMOS transistors is shown. Possible areas of application of vacuum nanoelectronic devices are considered. The urgent tasks of this scientific industry, as well as the problems that arise in the process of introducing the element base of vacuum nanoelectronics into the development and commercialization cycle of vacuum IC technology are described.

Развитие полупроводниковой интегральной технологии и переход к нанометровому разрешению литографического процесса обусловили разработку полупроводниковых автоэмиссионных структур. Однако широкого внедрения в производство и коммерциализации комплекс технологий изготовления автоэмиссионных устройств в настоящее время не получил из-за их малого срока эксплуатации и недостаточной стабильности работы. В работе проведен сравнительный анализ полученных на сегодняшний день значимых результатов по разработке полупроводниковых автоэмиссионных структур с наноразмерным каналом проводимости  с целью оценки текущего состояния и перспектив дальнейшего развития вакуумной наноэлектроники. Проанализированы технологические и эксплуатационные проблемы разработки автоэмиссионных триодных наноразмерных структур с применением различных полупроводниковых  материалов. Показаны достигнутые успехи в области интеграции наноразмерных автоэмиссионных структур со стандартными КМОП-тран- зисторами. Рассмотрены возможные сферы применения структур вакуумной наноэлектроники. Описаны актуальные задачи данной научной отрасли, а также проблемы, возникающие в процессе внедрения элементной базы вакуумной наноэлектроники в цикл разработки и коммерциализации технологии вакуумных ИС.

автоэлектронная эмиссияКМОП-технологияполупроводниковые автоэмиссионные наноструктурыкремнийкарбид кремнияfield-electron emissionCMOS technologysemiconductor field emission nanostructuressiliconsilicon carbideработа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект № 20-12-50312\20). the work has been supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 20-12-50312\20). Fowler R. H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields // Proc. R. Soc. Lond. A. 1928. Vol. 119. Iss. 781. P. 173–181. https://doi.org/10.1098/rspa.1928.0091Nordheim L. Zur Elektronentheorie der Metalle. I // Ann. Phys. 1931. Vol. 401. Iss. 5. P. 607–640. https://doi.org/10.1002/andp.19314010507Forbes R. G. Comments on the continuing widespread and unnecessary use of a defective emission equation in field emission related literature // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. Iss. 21. Art. No. 210901. https://doi.org/10.1063/1.5117289Márquez-Mijares M., Lepetit B. A three dimensional numerical quantum mechanical model of field electron emission from metallic surfaces covered with carbon adsorbates // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. Iss. 6. Art. No. 065107. https://doi.org/10.1063/1.5094238Forbes R. G. Renewing the mainstream theory of field and thermal electron emission // Modern Developments in Vacuum Electron Sources / eds G. Gaertner, W. Knapp, R. G. Forbes. Cham: Springer, 2020. P. 387–447. https://doi.org/10.1007/978-3-030-47291-7_9Forbes R. G. 21st century planar field emission theory and its role in vacuum breakdown science // 2020 29th International Symposium on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum (ISDEIV). Padova: IEEE, 2021. P. 3–10. https://doi.org/10.1109/ISDEIV46977.2021.9587119Jensen K. L. A tutorial on electron sources // IEEE Transactions on Plasma Science. 2018. Vol. 46. No. 6. P. 1881–1899. https://doi.org/10.1109/TPS.2017.2782485Jensen K. L. A reformulated general thermal-field emission equation // Journal of Applied Physics. 2019. Vol. 126. Iss. 6. Art. No. 065302. https://doi.org/10.1063/1.5109676Lepetit B. Electronic field emission models beyond the Fowler – Nordheim one // Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 122. Iss. 21. Art. No. 215105. https://doi.org/10.1063/1.5009064Lepetit B. A quantum mechanical model of electron field emission from two dimensional materials. Application to graphene // Journal of Applied Physics. 2021. Vol. 129. Iss. 14. Art. No. 144302. https://doi.org/10.1063/5.0047771Kyritsakis A., Djurabekova F. A general computational method for electron emission and thermal effects in field emitting nanotips // Computational Materials Science. 2017. Vol. 128. P. 15–21. https://doi.org/ 10.1016/j.commatsci.2016.11.010Kyritsakis A., Veske M., Djurabekova F. General scaling laws of space charge effects in field emission // New J. Phys. 2021. Vol. 23. No. 6. Art. No. 063003. https://doi.org/10.1088/1367-2630/abffa8Егоров Н. В., Шешин Е. П. Автоэлектронная эмиссия: Принципы и приборы. Долгопрудный: Интеллект, 2011. 703 с.Фурсей Г. Н. Автоэлектронная эмиссия. СПб.: Лань, 2012. 319 с.Buck D. A., Shoulders K. R. An approach to microminiature printed systems // Papers and Discussions Presented at the Dec. 3–5, 1958, Eastern Joint Computer Conference: Modern Computers: Objectives, Designs, Applications (AIEE-ACM-IRE ’58 (Eastern)). New York: ACM Press, 1958. P. 55–59. https://doi.org/10.1145/ 1458043.1458057Shoulders K. R. Microelectronics using electron-beam-activated machining techniques // Advances in Computers. 1961. Vol. 2. P. 135–293. https://doi.org/10.1016/S0065-2458(08)60142-4Spindt C. A., Shoulders K. R. Research in micron-size field-emission tubes // IEEE 1966 8th Conference on Tube Techniques. New York: IEEE, 1966. P. 143.Spindt C. A. A thin‐film field‐emission cathode // Journal of Applied Physics. 1968. Vol. 39. Iss. 7. P. 3504–3505. https://doi.org/10.1063/1.1656810Spindt С. А., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E. R. Physical properties of thin‐film field emission cathodes with molybdenum cones // Journal of Applied Physics. 1976. Vol. 47. Iss. 12. P. 5248–5263. https://doi.org/10.1063/1.322600А. с. 107388 СССР. Способ уменьшения ионной бомбардировки эмитирующих электроны металлических острий / М. И. Елинсон, Г. Ф. Васильев; заявл. 24.09.1955; опубл. 10.09.1957.Пат. 2044363 РФ. Устройство с автоэлектронной эмиссией (его варианты) / Н. А. Дюжев, А. Б. Ишкарин; заявл. 08.07.1994; опубл. 20.09.1995.Jennings S. G. The mean free path in air // Journal of Aerosol Science. 1988. Vol. 19. Iss. 2. P. 159–166. https://doi.org/10.1016/0021-8502(88)90219-4Electron emission devices for energy‐efficient systems / S. Nirantar, T. Ahmed, M. Bhaskaran et al. // Adv. Intell. Syst. 2019. Vol. 1. Iss. 4. Art. ID: 1900039. https://doi.org/10.1002/aisy.201900039Nottingham W. B. Remarks on energy losses attending thermionic emission of electrons from metals // Phys. Rev. 1941. Vol. 59. Iss. 11. P. 906. https://doi.org/10.1103/PhysRev.59.906.2Месяц Г. А. Взрывная электронная эмиссия. М.: Физматлит, 2011. 280 с.Self-modulated field electron emitter: Gated device of integrated Si tip-on-nano-channel / Z. Huang, Y. Huang, Z. Pan et al. // Appl. Phys. Lett. 2016. Vol. 109. Iss. 23. Art. No. 233501. https://doi.org/10.1063/ 1.4971336Guerrera S. A., Akinwande A. I. Nanofabrication of arrays of silicon field emitters with vertical silicon nanowire current limiters and self-aligned gates // Nanotechnology. 2016. Vol. 27. No. 29. Art. No. 295302. https://doi.org/10.1088/0957-4484/27/29/295302Kolosko A. G., Popov E. O., Filippov S. V. Analysis of the behavior of individual emission sites on the surface of a multi-tip field cathode // Tech. Phys. Lett. 2019. Vol. 45. Iss. 3. P. 304–307. https://doi.org/ 10.1134/S1063785019030283Ab initio calculation of field emission from metal surfaces with atomic-scale defects / H. Toijala, K. Eimre, A. Kyritsakis et al. // Phys. Rev. B. 2019. Vol. 100. Iss. 16. Art. ID: 165421. https://doi.org/ 10.1103/PhysRevB.100.165421Fujita S., Shimoyama H. Mechanism of surface-tension reduction by electric-field application: Shape changes in single-crystal field emitters under thermal-field treatment // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. Iss. 23. Art. ID: 235431. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.75.235431Double-gated, Spindt-type field emitter with improved electron beam extraction / Y. Honda, M. Nanba, K. Miyakawa et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. 2016. Vol. 63. No. 5. P. 2182–2189. https://doi.org/10.1109/TED.2016.2545710Nagao M., Gotoh Y., Neo Y., Mimura H. Beam profile measurement of volcano-structured double-gate Spindt-type field emitter arrays // J. Vac. Sci. Technol. B. 2016. Vol. 34. Iss. 2. Art. ID: 02G108. https://doi.org/ 10.1116/1.4944453Deka N., Subramanian V. On-chip fully integrated field emission arrays for high-voltage MEMS applications // IEEE Transactions on Electron Devices. 2020. Vol. 67. No. 9. P. 3753–3760. https://doi.org/ 10.1109/TED.2020.3006167Chang W.-T., Chuang T.-Y., Su Ch.-W. Metal-based asymmetric field emission diodes operated in the air // Microelectronic Engineering. 2020. Vol. 232. Art. No. 111418. https://doi.org/10.1016/j.mee.2020.111418Chang W.-T., Cheng M.-Ch., Chuang T.-Y., Tsai M.-Y. Field emission air-channel devices as a voltage adder // Nanomaterials. 2020. Vol. 10. Iss. 12. Art. No. 2378. https://doi.org/10.3390/nano10122378Metal–air transistors: Semiconductor-free field-emission air-channel nanoelectronics / S. Nirantar, T. Ahmed, G. Ren et al. // Nano Lett. 2018. Vol. 18. No. 12. P. 7478–7484. https://doi.org/10.1021/ acs.nanolett.8b02849De Rose L. B., Scherer A., Jones W. M. Suspended nanoscale field emitter devices for high-temperature operation // IEEE Transactions on Electron Devices. 2020. Vol. 67. No. 11. P. 5125–5131. https://doi.org/10.1109/TED.2020.3019765Nanoscale vacuum channel transistor with in-plane collection structure / J. Xu, H. Hu, W. Yang et al. // Nanotechnology. 2020. Vol. 31. No. 6. Art. No. 065202. https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab51cbOptimization of a field emission electron source based on nano-vacuum channel structures / J. Xu, C. Lin, Y. Shi et al. // Micromachines. 2022. Vol. 13. Iss. 8. Art. No. 1274. https://doi.org/10.3390/mi13081274Srisonphan S. Field effect-controlled space-charge limited emission triode with nanogap channels // IEEE Electron Device Letters. 2021. Vol. 42. No. 10. P. 1540–1543. https://doi.org/10.1109/LED.2021.3103557Field emission from carbon nanostructures / F. Giubileo, A. Di Bartolomeo, L. Iemmo et al. // Applied Sciences. 2018. Vol. 8. Iss. 4. Art. No. 526. https://doi.org/10.3390/app8040526Comparison of field emission performances and durability of three nanocarbon materials / M.-J. Youh, C.-S. Lin, N.-W. Pu et al. // Vacuum. 2020. Vol. 177. Art. ID: 109382. https://doi.org/10.1016/ j.vacuum.2020.109382Углеродные материалы для автоэмиссионных приборов на их основе / З. Я. Лвин, Е. П. Шешин, Н. Ч. Чжо и др. // Труды МФТИ. 2018. Т. 10. № 2 (38). C. 30–46. EDN: XTWBOH.Шестеркин В. И. Эмиссионно-эксплуатационные характеристики различных типов автоэмиссионных катодов // Радиотехника и электроника. 2020. Т. 65. № 1. С. 3–30. https://doi.org/10.31857/ S0033849420010040. – EDN: FFULEM.The rise of carbon materials for field emission / N. Dwivedi, Ch. Dhand, J. D. Carey et al. // J. Mater. Chem. C. 2021. Vol. 9. Iss. 8. P. 2620–2659. https://doi.org/10.1039/D0TC05873DЕлецкий А.В. Холодные полевые эмиттеры на основе углеродных нанотрубок // УФН. 2010. Т. 180. № 9. С. 897–930. EDN: MTVUHF.Electric field effect in atomically thin carbon films / K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov et al. // Science. 2004. Vol. 306. Iss. 5696. P. 666–669. https://doi.org/10.1126/science.1102896Егоров Н. В., Шешин Е. П. Современное состояние автоэмиссионной электроники // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017. № 3. С. 5–15. https://doi.org/ 10.7868/S0207352817030088. – EDN: YIVPRJ.Field electron emission characteristics and physical mechanism of individual single-layer graphene / Z. Xiao, J. She, S. Deng et al. // ACS Nano. 2010. Vol. 4. Iss. 11. P. 6332–6336. https://doi.org/ 10.1021/nn101719rShao X., Srinivasan A., Ang W. K., Khursheed A. A high-brightness large-diameter graphene coated point cathode field emission electron source // Nat. Commun. 2018. Vol. 9. Art. No. 1288. https://doi.org/ 10.1038/s41467-018-03721-yFabrication and characterization of HfC coated Si field emitter arrays / T. Sato, S. Yamamoto, M. Nagao et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. Vol. 21. Iss. 4. P. 1589–1593. https://doi.org/10.1116/ 1.1569933Enhanced field emission from lanthanum hexaboride coated multiwalled carbon nanotubes: Correlation with physical properties / R. Patra, S. Ghosh, E. Sheremet et al. // Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 116. Iss. 16. Art. No. 164309. https://doi.org/10.1063/1.4898352Electron field emission from chemical vapor deposited diamond films / A. N. Obraztsov, I. Yu. Pavlovsky, A. P. Volkov et al. // J. Electrochem. Soc. 1998. Vol. 145. No. 7. P. 2572–2576. https://doi.org/10.1149/1.1838682Handbook of semiconductor manufacturing technology / eds R. Doering, Y. Nishi. 2nd ed. Boca Raton, FL: CRC Press, 2008. 1722 p.Tsong T. T. Field penetration and band bending near semiconductor surfaces in high electric fields // Surface Science. 1979. Vol. 81. Iss. 1. P. 28–42. https://doi.org/10.1016/0039-6028(79)90503-XThomas R. N., Wickstrom R. A., Schroder D. K., Nathanson H. C. Fabrication and some applications of large-area silicon field emission arrays // Solid-State Electronics. 1974. Vol. 17. Iss. 2. P. 155–163. https://doi.org/10.1016/0038-1101(74)90063-XМахов В. И., Дюжев Н. А., Пинаев И. В. Влияние диэлектрического покрытия туннельной толщины на эмиссионные характеристики автоэлектронного катода // XIX Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике (Ташкент, сент. 1984 г.): секции 3, 4, 5. Ташкент: Фан, 1984. С. 45.Дюжев Н. А., Махиборода М. А., Скворцов В. Э. Электронно-лучевой микродисплей высокого разрешения на базе кремниевого автоэмиссионного нанокатода // Rusnanotech’08: Международный форум по нанотехнологиям: сборник тез. докл. науч.-техн. секций (Москва, 03–05 дек. 2008 г.). М.: Российская корпорация нанотехнологий, 2008. Т. 2. 536 с.Разработка технологических принципов создания системы микрофокусных рентгеновских трубок на основе кремниевых автоэмиссионных нанокатодов / Н. А. Дюжев, Г. Д. Демин, Н. А. Филиппов и др. // ЖТФ. 2019. Т. 89. № 12. С. 1836–1842. https://doi.org/10.21883/JTF.2019.12.48479.137-19. – EDN: UGTCST.Bohling C., Sigmund W. Self-limitation of native oxides explained // Silicon. 2016. Vol. 8. Iss. 3. P. 339–343. https://doi.org/10.1007/s12633-015-9366-8Wu C.-C., Ou K.-L., Tseng C.-L. Fabrication and characterization of well-aligned and ultra-sharp silicon nanotip array // Nanoscale Res. Lett. 2012. Vol. 7. Iss. 1. Art. No. 120. https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-120Makhov V. I. Ballistic field-emission devices // Proceedings of the 2nd INT Conference on Vacuum Microelectronics, Bath, England. Bristol: Taylor & Francis, 1989. P. 235–238. (IOP Conf. Series; No. 99).Park C.-M., Lim M.-S., Han M.-K. A novel in situ vacuum encapsulated lateral field emitter triode // IEEE Electron Device Letters. 1997. Vol. 18. No. 11. P. 538–540. https://doi.org/10.1109/55.641438Lateral silicon field-emission devices using electron beam lithography / S. Han, S. Yang, T. Hwang et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. No. 5R. P. 2556–2559. https://doi.org/10.1143/JJAP.39.2556Han J.-W., Jae Sub Oh, Meyyappan M. Vacuum nanoelectronics: Back to the future? – Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100. Iss. 21. Art. No. 213505. https://doi.org/10.1063/1.4717751Han J.-W., Moon D.-I., Meyyappan M. Nanoscale vacuum channel transistor // Nano Lett. 2017. Vol. 17. Iss. 4. P. 2146–2151. https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b04363CRC handbook of chemistry and physics: A ready-reference book of chemical and physical data, 2016–2017 / eds W. M. Haynes, D. R. Lide, T. J. Bruno. 97th ed. Boca Raton, FL: CRC Press, 2016. 2652 p.Wort C. J. H., Balmer R. S. Diamond as an electronic material // Materials Today. 2008. Vol. 11. Iss. 1-2. P. 22–28. https://doi.org/10.1016/S1369-7021(07)70349-8SiC materials and devices / eds M. Shur, S. L. Rumyantsev, M. E. Levinshtein. New Jersey; London; Singapore: World Scientific, 2006. Vol. 1. 1033 p.Nanoscale vacuum channel transistors fabricated on silicon carbide wafers / J.-W. Han, M.-L. Seol, D.-I. Moon et al. // Nat. Electron. 2019. Vol. 2. Iss. 9. P. 405–411. https://doi.org/10.1038/s41928-019-0289-zKondratyev A. M., Rakhel A. D. Melting line of graphite // Phys. Rev. Lett. 2019. Vol. 122. Iss. 17. Art. ID: 175702. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.175702Subramanian K., Kang W. P., Davidson J. L. A monolithic nanodiamond lateral field emission vacuum transistor // IEEE Electron Device Letters. 2008. Vol. 29. No. 11. P. 1259–1261. https://doi.org/10.1109/ LED.2008.2005516A review of recent results on diamond vacuum lateral field emission device operation in radiation environments / K. Subramanian, W. P. Kang, J. L. Davidson et al. // Microelectronic Engineering. 2011. Vol. 88. Iss. 9. P. 2924–2929. https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.161Ghosh N., Kang W. P., Davidson J. L. Nanodiamond lateral field emission vacuum logic OR gate // Electronics Letters. 2011. Vol. 47. Iss. 16. P. 926–927. https://doi.org/10.1049/el.2011.1586Ghosh N., Kang W. P., Davidson J. L. Fabrication and implementation of nanodiamond lateral field emission diode for logic OR function // Diamond and Related Materials. 2012. Vol. 23. P. 120–124. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2012.01.030Performance characteristics of nanocrystalline diamond vacuum field emission transistor array / S. H. Hsu, W. P. Kang, J. L. Davidson et al. // Journal of Applied Physics. 2012. Vol. 111. Iss. 11. Art. No. 114502. https://doi.org/10.1063/1.4723833Hsu S. H., Kang W. P., Raina S., Huang J. H. Nanodiamond vacuum field emission device with gate modulated triode characteristics // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 102. Iss. 20. Art. No. 203105. https://doi.org/ 10.1063/1.4807128Nanodiamond vacuum field emission microtriode / S.-H. Hsu, W. P. Kang, S. Raina et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. Vol. 35. Iss. 3. Art. No. 032201. https://doi.org/10.1116/1.4981018Nabi G. Morphology role in 3D flower like GaN nanostructures as excellent field emitters // Materials Today Communications. 2020. Vol. 25. Art. ID: 101287. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2020.101287Self-align-gated GaN field emitter arrays sharpened by a digital etching process / P.-C. Shih, G. Rughoobur, K. Cheng et al. // IEEE Electron Device Letters. 2021. Vol. 42. No. 3. P. 422–425. https://doi.org/10.1109/LED.2021.3052715Han J.-W., Jae Sub Oh, Meyyappan M. Cofabrication of vacuum field emission transistor (VFET) and MOSFET // IEEE Transactions on Nanotechnology. 2014. Vol. 13. No. 3. P. 464–468. https://doi.org/10.1109/ TNANO.2014.2310774Itoh J., Hirano T., Kanemaru S. Ultrastable emission from a metal–oxide–semiconductor field‐effect transistor‐structured Si emitter tip // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. Iss. 11. P. 1577–1578. https://doi.org/ 10.1063/1.117035Yang W., She J., Deng S., Xu N. Field emission from a MOSFET-controlled ZnO-nanowire cold cathode // IEEE Transactions on Electron Devices. 2012. Vol. 59. No. 12. P. 3641–3646. https://doi.org/ 10.1109/TED.2012.2220548Gated Si-tip with on-tip integrated gate-all-around field effect transistor for actively controlled field electron emission / M. Zeng, Yi. Huang, Yu. Huang et al. // IEEE Electron Device Letters. 2022. Vol. 43. No. 3. P. 466–469. https://doi.org/10.1109/LED.2022.3148397Татаренко Н. И., Кравченко В. Ф. Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе. М.: Физматлит, 2006. 192 с.Дюжев Н. А., Махиборода М. А., Федирко В. Л. Исследование различных режимов автоэлектронной эмиссии кремниевого кантилевера // Вакуумная наука и техника: материалы XIV науч.-техн. конф. (Сочи, 08–15 окт. 2007 г.). Сочи: МИЭМ, 2007. С. 248–251.Patent 3500102 US. Thin electron tube with electron emitters at intersections of crossed conductors / M. E. Crost, K. Shoulders, M. H. Zinn; filed: 15.05.1967; publ.: 10.03.1970.Meyer R. Microtips fluorescent display // Tech. Digest of Japan Display’86. 1986. P. 513–515.Busta H. H. Field emission flat panel displays // Vacuum Microelectronics / ed. W. Zhu. Chichester: Wiley, 2001. P. 289–347. https://doi.org/10.1002/0471224332.ch7Terranova M. L., Orlanducci S., Rossi M., Tamburri E. Nanodiamonds for field emission: State of the art // Nanoscale. 2015. Vol. 7. Iss. 12. P. 5094–5114. https://doi.org/10.1039/C4NR07171ABasu A., Swanwick M. E., Fomani A. A., Velásquez-García L. F. A portable X-ray source with a nanostructured Pt-coated silicon field emission cathode for absorption imaging of low-Z materials // J. Phys. D: Appl. Phys. 2015. Vol. 48. No. 22. Art. No. 225501. https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/22/225501MEMS ion source for ion mobility spectrometry / T. Grzebyk, P. Szyszka, M. Krysztof et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2019. Vol. 37. Iss. 2. Art. ID: 022201. https://doi.org/10.1116/1.5068750Prototype of cathodoluminescent lamp for general lighting using carbon fiber field emission cathode / E. P. Sheshin, A. Yu. Kolodyazhnyj, N. N. Chadaev et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2019. Vol. 37. Iss. 3. Art. ID: 031213. https://doi.org/10.1116/1.5070108A cylindrical triode ultrahigh vacuum ionization gauge with a carbon nanotube cathode / J. Zhang, J. Wei, D. Li et al. // Nanomaterials. 2021. Vol. 11. Iss. 7. Art. No. 1636. https://doi.org/10.3390/nano11071636Position and attitude tolerances of carbon nanotube field emission cathode as a neutralizer in an ion engine system / J. Kinoshita, R. Ikeda, M. Adachi et al. // Trans. Japan Soc. Aero. Space Sci. 2021. Vol. 64. No. 5. P. 288–291. https://doi.org/10.2322/tjsass.64.288Far UVC light for E. coli disinfection generated by carbon nanotube cold cathode and sapphire anode / S. T. Yoo, J. Y. Lee, A. Rodiansyah et al. // Current Applied Physics. 2021. Vol. 28. P. 93–97. https://doi.org/ 10.1016/j.cap.2021.05.007Nanoscale vacuum channel Hall sensors / L. Fan, J. Bi, B. Zhao et al. // IEEE Sensors Journal. 2022. Vol. 22. No. 4. P. 23806–23811. https://doi.org/10.1109/JSEN.2022.3218466Harafuji K., Tsuchiya T., Kawamura K. Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal // Journal of Applied Physics. 2004. Vol. 96. Iss. 5. P. 2501–2512. https://doi.org/ 10.1063/1.1772878Сечи Ф., Буджатти М. Мощные твердотельные СВЧ-усилители / пер. с англ. В. О. Султанова. М.: Техносфера, 2016. 412 с.