<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2020-25-5-402-409</article-id><article-id pub-id-type="udk">621.383.8 001.891.573</article-id><article-categories><subj-group><subject>Элементы интегральной электроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Modeling of Electronic Amplification Processes in Channels of Multipliers on Porous Structures of Aluminum Oxide</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Моделирование процессов электронного усиления в каналах умножителей на пористых структурах оксида алюминия</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Гончаров Игорь Николаевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Гончаров</surname><given-names>Игорь Николаевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Goncharov</surname><given-names>Igor N.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Igor N. Goncharov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Козырев Евгений Николаевич </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Козырев</surname><given-names>Евгений Николаевич </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Nikolaevich</surname><given-names>Kozyrev Evgeniy</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Kozyrev Evgeniy Nikolaevich</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Тваури Инга Васильевна </string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Тваури</surname><given-names>Инга Васильевна </given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Vasilevna</surname><given-names>Tvauri Inga</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Tvauri Inga Vasilevna</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-3"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет), г. Владикавказ, Россия; Северо-Осетинский государственный университет имени К.Л. Хетагурова, г. Владикавказ, Россия</aff><aff id="AFF-2" xml:lang="ru">Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный тех-нологический университет), г.Владикавказ, Россия</aff><aff id="AFF-3" xml:lang="ru">Северо-Осетинский государственный университет имени К.Л. Хетагурова, г. Владикавказ, Россия</aff></contrib-group><fpage>402</fpage><lpage>409</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/issues/5-_2020/modelirovanie_protsessov_elektronnogo_usileniya_v_kanalakh_umnozhiteley_na_poristykh_strukturakh_oks/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>The secondary-emission multiplier of spatial-distributed flows of electrons - microchannel membrane - determines along with the photocathode, luminescent screen, electron-optical system determines the amplifying characteristics of the electron-optical transformers, photoelectronic multipliers. This, in its turn, determines the application areas and the operating range of the items. The actual task is an improvement of the microchannel membrane parameters and the search for new approaches to manufacture on alternative materials of the secondary-emission multipliers. In the paper the use of self-organizing high-ordered porous anode structures of aluminum oxide as the secondary-electronic emitters have been considered. The theoretical and practical approaches to development and the implementation of the computer models of processes of multiplying electrons in the channel of the based on aluminum oxide, have been offered. Based on the results of the calculations, performed using this model, the amplifying ability of such channels has been determined, their optimal caliber is 25, and the supply voltage is 300 V. A comparative analysis of these characteristics of secondary electron multipliers with corresponding parameters of microchannel plates based on lead silicate glass has been performed. It has been determined that that porous anodized alumina may be suitable for the manufacture of secondary electron multipliers. Its secondary emission ability is comparable to lead silicate glass.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Вторично-эмиссионный умножитель пространственно распределенных потоков электронов - микроканальная пластина - определяет усилительные характеристики электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей. Совершенствование параметров микроканальной пластины, а также поиск новых подходов к изготовлению вторично-эмиссионных умножителей на альтернативных материалах - актуальная задача. В работе рассмотрено применение самоорганизующихся и высокоупорядоченных пористых анодных структур оксида алюминия в качестве эффективных вторично-электронных эмиттеров. Предложены теоретические и практические подходы к разработке и реализации компьютерной модели процессов умножения электронов в канале структуры на основе оксида алюминия. По результатам расчетов, выполненных с использованием данной модели, установлены усилительная способность таких каналов, их оптимальный калибр, равный 25, и напряжение питания, равное 300 В. Проведен сравнительный анализ данных характеристик вторично-электронных умножителей с соответствующими параметрами микроканальных пластин на основе свинцово-силикатного стекла. Установлено, что пористый анодированный оксид алюминия пригоден для изготовления вторично-электронных умножителей. Его вторично-эмиссионная способность значительно выше, чем у свинцово-силикатного стекла.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>вторичная электронная эмиссия</kwd><kwd>математическое моделирование</kwd><kwd>высокоупорядоченная пористая структура</kwd><kwd>анодный оксид алюминия</kwd><kwd>электронные умножители</kwd><kwd>коэффициент усиления</kwd></kwd-group><funding-group/></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Грузевич Ю.К. Оптико-электронные приборы ночного видения: монография. СПб.: Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 2017. Т. 84. №1. 93 с.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Аверин И.А., Губич И.А. Анализ моделей формирования и упорядочения пористой структуры оксида алюминия // Технические науки. Машиностроение и машиноведение. 2013. №2 (26). С. 91–95.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Многослойные фотонно-кристаллические структуры на основе наноструктурированного пористого анодного оксида алюминия / Е.Н. Козырев, В.И. Филоненко, Т.Н. Беляева и др. // Материалы X Междунар. науч.-техн. конф «Микро- и нанотехнологии в электронике» (Нальчик, 28 мая − 2 июня 2018 г.). Нальчик: Каб.-Балк. ун-т., 2018. С. 403–406.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Шиманович Д.Л. Исследование параметров отклика и восстановления емкостных чувствительных элементов, сформированных на основе мембранных нанопористых матриц Al2O3 // Материалы Междунар. науч.-техн. конф. INTERMATIC-2015 (Москва, 1–5 декабря 2015 г. ). М., 2015. Ч. 4. С.123–126.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Козырев Е.Н. Способ анодирования алюминиевых изделий // Патент РФ № 2448202. 2012.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969. 408 с.</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Кулов С.К. Вторичная электронная эмиссия резистивно-эмиссионного слоя каналов МКП. Владикавказ: Баспик, 2000. 181 с.</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Алкацева Т.Д. Закономерности формирования и минимизация дефектов электронного изображения микроканальных пластин: дис. … канд. техн. наук. Владикавказ, 1999. 247 с.</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Кесаев С.А. Разработка и исследование микроканальных пластин с высоким пространственным разрешением для техники ночного видения: дис. … канд. техн. наук. Владикавказ, 2002. 205 с.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Штанг Т.В. Моделирование процессов заряжения и люминесценции при облучении электронами наноструктурных оксидов кремния и алюминия: дис. … канд. физ.-мат. наук. Екатеринбург, 2014.</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">140 с.</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Достижения в технике передачи и воспроизведения изображений / под ред. Б Кейзана. Т. 1.</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">М.: Мир, 1978. 336 с.</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru"> Дебновецкий С.В., Писаренко Л.Д., Резниченко В.К. Основы автоматизированного проектирования электронных приборов. Киев: Высшая школа, 1988. 278 с.</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
