The magnetoresistive transducers of magnetic field have been claimed both for direct and indirect applications in various areas of industry, transport and special equipment. In the paper the special features of used terminology and dimensions in the main parameters of magnetic field magnetoresistive transformers have been revealed. The main results of experimental studies on the developed thin-film magnetoresistive nanostructures (TMN) with even and odd transfer characteristics have been presented. The TMN design on an anisotropic magnetoresistive effect has an odd transfer characteristic and conversion coefficient at the level of 8 mV/V/E. The TMN design based on a giant magnetoresistive effect has an even transfer characteristic and a conversion coefficient at the level of 27 mV/V/E. The results of promising design and technological solutions allowing reaching the values of conversion coefficient of TMN at the level exceeding 100 mV/V/E have been shown. The results of the study of the test spin-tunnel magnetoresistive nanostructure (spin-tunnel TMN) with giant magnetoresistive effect, exceeding 100% have been presented. The novelty of the obtained results has been reflected and the perspective of using highly sensitive TMN and creating the non-volatile MRAM on the basis of thin-film magnetoresistive structure with the spin-tunnel magnetoresistive effect have been determined.
Магниторезистивные преобразователи магнитного поля востребованы как для прямого, так и для косвенного применения в различных областях промышленности, транспорте и специальной технике. В работе отмечены особенности применяемой терминологии и размерностей основных параметров магниторезистивных преобразователей магнитного поля. Представлены основные результаты экспериментальных исследований разработанных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур с четной и нечетной передаточной характеристикой. Конструкция данной системы, реализованная на основе анизотропного магниторезистивного эффекта, имеет нечетную передаточную характеристику и коэффициент преобразования на уровне 8 мВ/В/Э. Конструкция, реализованная на основе гигантского магниторезистивного эффекта, имеет четную передаточную характеристику и коэффициент преобразования на уровне 27 мВ/В/Э. Показаны результаты перспективных конструктивно-технологических решений, позволяющих достигать значений коэффициента преобразования тонкопленочных магниторезистивных наноструктур более 100 мВ/В/Э. Приведены результаты исследования тестовой спин-туннельной тонкопленочной магниторезистивной наноструктуры с гигантским магниторезистивным эффектом, превышающим 100 %. Отмечена новизна полученных результатов и определена перспективность использования высокочувствительных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур для создания энергонезависимой памяти с произвольной выборкой на основе тонкопленочной магниторезистивной наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным эффектом.